技术编号：37262614
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体测试领域，涉及一种基于瞬态电流的半导体器件快界面态表征方法。背景技术、半导体的界面研究在半导体物理学和器件工艺中占据着很重要的地位。半导体-绝缘介质接触在微电子技术中有广泛应用，sio/si是典型的半导体-绝缘介质接触。在sio/si界面存在有：由于硅晶格周期性中断而产生的“快界面态”与由于氧化、金属杂质、结构缺陷等原因产生的“慢界面态”。这些界面态可以俘获电子也可以俘获缺陷，其会极大的影响器件的最终性能与可靠性。因此如何准确地提取界面态成为微电子器件工艺中至关重要的一环。...
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