技术编号:37277785
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施方式总体涉及半导体装置。背景技术、金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effecttransistor(mosfet))、绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor(igbt))等半导体装置,被用于功率变换等用途。对于半导体装置,希望导通电阻小且耐压高。技术实现思路、根据一个实施方式,半导体装置具备:第电极、第导电型的第半导体区域、第导电型的第半导体区域、第导电型的第...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。