半导体装置的制作方法

本发明的实施方式总体涉及半导体装置。

背景技术：

1、金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effecttransistor(mosfet))、绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor(igbt))等半导体装置，被用于功率变换等用途。对于半导体装置，希望导通电阻小且耐压高。

技术实现思路

1、根据一个实施方式，半导体装置具备：第1电极、第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、栅极电极、第2电极和第3电极。所述第1半导体区域设置在所述第1电极之上，与所述第1电极电连接。所述第2半导体区域设置在所述第1半导体区域之上。所述第3半导体区域设置在所述第2半导体区域之上。所述栅极电极在第2方向上，隔着栅极绝缘层而与所述第2半导体区域相面对，所述第2方向是与从所述第1电极朝向所述第1半导体区域的第1方向垂直的方向。所述栅极电极的上部包括：第1电极部分，在所述第2方向上隔着所述栅极绝缘层而与所述第3半导体区域相面对；以及第2电极部分，在与所述第1方向及所述第2方向垂直的第3方向上与所述第1电极部分并排。所述第2电极部分在所述第2方向上的长度比所述第1电极部分在所述第2方向上的长度长，且比所述栅极电极的下部在所述第2方向上的长度长。所述第2电极设置在所述第2半导体区域及所述第3半导体区域之上，与所述第2半导体区域及所述第3半导体区域电连接。所述第3电极包括设置在所述第2电极部分之上且与所述第2电极部分电连接的布线部，与所述第2电极相分离。

2、根据本实施方式，能够提供能够减小导通电阻或者提高耐压的半导体装置。

技术特征：

1.一种半导体装置，其中，具备：

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，还具备：

4.如权利要求3所述的半导体装置，其中，

5.如权利要求1所述的半导体装置，

6.一种半导体装置，其中，具备：

7.如权利要求6所述的半导体装置，其中，

8.如权利要求7所述的半导体装置，其中，

9.如权利要求6所述的半导体装置，其中，还具备：

10.如权利要求6所述的半导体装置，其中，

11.一种半导体装置，具备：

技术总结
本发明的实施方式涉及半导体装置，提供能够减小导通电阻或者提高耐压的半导体装置。半导体装置具备：第1电极、第1半导体区域、第2半导体区域、第3半导体区域、栅极电极、第2电极和第3电极。栅极电极在第2方向上隔着栅极绝缘层而与第2半导体区域相面对。栅极电极的上部包括：第1电极部分，在第2方向上隔着栅极绝缘层而与第3半导体区域相面对；以及第2电极部分，在第3方向上与第1电极部分并排。第2电极部分在第2方向上的长度比第1电极部分在第2方向上的长度长，且比栅极电极的下部在第2方向上的长度长。第2电极设置在第2半导体区域及第3半导体区域之上。第3电极包括设置在第2电极部分之上的布线部，与第2电极相分离。

技术研发人员：畑田大辉
受保护的技术使用者：株式会社东芝
技术研发日：
技术公布日：2024/3/11