半导体装置的制作方法

本发明的实施方式一般涉及半导体装置。

背景技术：

1、例如，在半导体装置中，希望损失的降低。

技术实现思路

1、根据本发明的实施方式，半导体装置包括第1电极、第2电极、第1导电部件、半导体部件以及绝缘部件。所述第1电极包括第1面。所述第2电极包括第1导电区域以及第1导电部。所述第1导电部与所述第1导电区域电连接。所述第1导电部件设置在所述第1面与所述第1导电区域之间。所述半导体部件设置在所述第1面与所述第2电极之间。所述半导体部件包括第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、所述第2导电型的第3半导体区域、所述第2导电型的第4半导体区域、以及所述第1导电型的第5半导体区域。所述第1半导体区域包括第1部分区域、第2部分区域以及第3部分区域。所述第1部分区域在与所述第1面垂直的第1方向处于所述第1面与所述第1导电部件之间。从所述第1部分区域朝向所述第2部分区域的第2方向与所述第1方向交叉。所述第2部分区域在所述第1方向处于所述第1面与所述第3部分区域之间。从所述第1导电部件朝向所述第3部分区域的方向沿着所述第2方向。所述第2半导体区域的一部分处于所述第1导电部件的一部分与所述第1导电部之间。所述第2半导体区域在所述第1方向处于所述第3部分区域与所述第3半导体区域之间。从所述第1导电部件的另一部分朝向所述第3半导体区域的方向沿着所述第2方向。所述第3半导体区域中的所述第2导电型的第3载流子浓度高于所述第2半导体区域中的所述第2导电型的第2载流子浓度。所述第4半导体区域处于所述第1面与所述第1部分区域之间、以及所述第1面与所述第2部分区域之间。所述第5半导体区域在所述第1方向处于所述第2半导体区域的至少一部分与所述第1导电部的至少一部分之间。所述绝缘部件包括第1绝缘区域。所述第1绝缘区域设置在所述半导体部件与所述第1导电部件之间。

2、本发明的实施方式能够提供可降低损失的半导体装置。

技术特征：

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

14.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

15.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

16.根据权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，

17.根据权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，

18.根据权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，

19.根据权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，

20.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

技术总结
半导体装置包括第1电极、第2电极、第1导电部件、半导体部件及绝缘部件。第1导电部件在第1电极的第1面与第1导电区域间。半导体部件在第1面与第2电极间。半导体部件包括第1至第五半导体区域。第1半导体区域包括第1至第3部分区域。第1部分区域在第1方向处于第1面与第1导电部件间。第2部分区域在第1方向处于第1面与第3部分区域间。第2半导体区域的一部分处于第1导电部件与第1导电部间。第2半导体区域在第1方向处于第3部分区域与第3半导体区域间。第4半导体区域处于第1面与第1及第2部分区域间。第5半导体区域在第1方向处于第2半导体区域与第1导电部间。绝缘部件的第1绝缘区域在半导体部件与第1导电部件间。

技术研发人员：岩鍜治阳子,河村圭子,下条亮平,布施香织
受保护的技术使用者：株式会社东芝
技术研发日：
技术公布日：2024/3/11