半导体元件及其制作方法与流程

本发明涉及一种制作半导体元件的方法，尤其是涉及一种接合两片晶片的方法。

背景技术：

1、随着数字相机、扫描器等电子商品不断的开发与成长，消费市场对影像(图像)感测元件的需求也持续的增加。一般而言，目前常用的影像感测元件，包括了电荷耦合感测元件(charge coupled device,ccd sensor)以及cmos影像感测元件(cmos image sensor,cis)两大类。其中，由于cmos影像感测元件具有低操作电压、低功率消耗与高操作效率、可根据需要进行随机存取(random access)等因素，并且可以整合于目前的半导体技术来大量制造，因此受到极广泛的应用。

2、然而，现今以混合键结(hybrid bonding)方式连接承载有例如cmos影像感测元件等半导体元件的晶片时通常需利用化学机械研磨(chemical mechanical polishing,cmp)制作工艺去除晶片背面材料，而此道步骤除了有平坦性的疑虑之外晶片在接合时是否能准确对准也是另一挑战。

技术实现思路

1、本发明一实施例揭露一种制作半导体元件的方法，其主要提供第一晶片以及第二晶片，其中该第一晶片包含一元件晶片且该第二晶片包含一空白晶片，然后接合该第一晶片以及该第二晶片，进行一热处理制作工艺将该第二晶片分离为第一部分以及第二部分，然后再平坦化该第一部分。

2、本发明另一实施例揭露一种半导体元件，其主要包含一第一晶片且该第一晶片包含一元件晶片，一第二晶片且该第二晶片包含一空白晶片，一电极层设于该第二晶片上，一介电层环绕该第二晶片以及该电极层，以及一第一金属内连线设于该介电层内并连接该第一晶片以及该电极层。

技术特征：

1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的方法，还包含：

3.如权利要求2所述的方法，其中该掺杂区包含氢。

4.如权利要求2所述的方法，还包含：

5.如权利要求4所述的方法，还包含同时掀离该第一图案化掩模以及该第一图案化掩模上方的该电极层以及该主动层。

6.如权利要求4所述的方法，其中图案化该第一部分包含：

7.如权利要求4所述的方法，其中该主动层包含氧化铟镓锌(indium gallium zincoxide,igzo)。

8.如权利要求4所述的方法，其中该电极层包含氧化铟锡(indium tin oxide,ito)。

9.如权利要求4所述的方法，其中该第一金属内连线包含l形。

10.如权利要求4所述的方法，其中该第二金属内连线包含i形。

11.一种半导体元件，其特征在于，包含：

12.如权利要求11所述的半导体元件，还包含：

13.如权利要求12所述的半导体元件，其中该主动层包含氧化铟镓锌(indium galliumzinc oxide,igzo)。

14.如权利要求11所述的半导体元件，其中该电极层包含氧化铟锡(indium tinoxide,ito)。

15.如权利要求11所述的半导体元件，其中该第二晶片宽度小于该第一晶片宽度。

16.如权利要求11所述的半导体元件，其中该第二晶片厚度小于该第一晶片厚度。

17.如权利要求11所述的半导体元件，其中该电极层侧壁切齐该第二晶片侧壁。

18.如权利要求11所述的半导体元件，其中该第一金属内连线包含l形。

19.如权利要求11所述的半导体元件，还包含第二金属内连线设于该介电层内连接该第二晶片。

20.如权利要求19所述的半导体元件，其中该第二金属内连线包含i形。

技术总结
本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，主要提供第一晶片以及第二晶片，其中该第一晶片包含一元件晶片且该第二晶片包含一空白晶片，然后接合该第一晶片以及该第二晶片，进行一热处理制作工艺将该第二晶片分离为第一部分以及第二部分，然后再平坦化该第一部分。

技术研发人员：谢柏光,蔡世鸿
受保护的技术使用者：联华电子股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/11