技术编号：37300893
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请属于芯片封装，具体涉及一种去边方法、晶圆、电子设备及可读存储介质。背景技术、在晶圆(wafer)表面旋涂光刻胶时，由于离心力作用，光刻胶会在晶圆的边缘形成较厚的胶边，胶边由于表面张力会在晶圆边缘形成胶滴残留，为防止胶滴剥离对晶圆以及光刻机造成污染，影响产品良率，需要对晶圆边缘的胶边进行去除。、目前，通常采用化学方法(edge bead remove，ebr)或者光学方法(wafer edgeexposure，wee)进行胶边的去除。其中，ebr方法主要通过在涂布有光刻胶层的晶圆边缘喷洒...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。