一种去边方法、晶圆、电子设备及可读存储介质与流程

本申请属于芯片封装，具体涉及一种去边方法、晶圆、电子设备及可读存储介质。

背景技术：

1、在晶圆(wafer)表面旋涂光刻胶时，由于离心力作用，光刻胶会在晶圆的边缘形成较厚的胶边，胶边由于表面张力会在晶圆边缘形成胶滴残留，为防止胶滴剥离对晶圆以及光刻机造成污染，影响产品良率，需要对晶圆边缘的胶边进行去除。

2、目前，通常采用化学方法(edge bead remove，ebr)或者光学方法(wafer edgeexposure，wee)进行胶边的去除。其中，ebr方法主要通过在涂布有光刻胶层的晶圆边缘喷洒溶剂的方式将晶圆边缘的光刻胶去除；wee方法则是在显影设备中设置汞灯，利用汞灯在旋转晶圆时曝光晶圆边缘的光刻胶实现晶圆边缘光刻胶的去除。

3、但是，在进行胶边去除的过程中，ebr方法存去边时间长且难以去干净、边缘不整齐的问题；wee方法则只适合薄胶工艺，对厚度较厚(厚度>10μm)的光刻胶存在去边时间长、去边后光刻胶边缘坡度大的问题。

4、申请内容

5、本申请实施例的目的是提供一种去边方法、晶圆、电子设备及可读存储介质，能够解决相关技术中在对晶圆进行去边的过程中存在去边时间长、去边后边缘不整齐的问题。

6、第一方面，本申请实施例提供了一种去边方法，所述方法包括：

7、获取待去边晶圆；所述待去边晶圆包括边缘区域；所述待去边晶圆的上表面制备有光刻胶层；

8、确定所述边缘区域的第一尺寸；

9、根据所述第一尺寸确定掩膜版的第一透光区；所述掩膜版与所述待去边晶圆之间的尺寸为1:1的比例关系；

10、在光刻机中利用所述掩膜版对所述待去边晶圆进行曝光处理，得到曝光晶圆；所述曝光晶圆包括通过所述第一透光区对所述边缘区域进行曝光后得到的曝光后的边缘区域；

11、对所述曝光后的边缘区域进行显影处理，得到去边晶圆。

12、可选地，所述光刻胶层的厚度为10μm至20μm。

13、可选地，所述第一尺寸为所述边缘区域的第一宽度值，所述第一宽度值为1.5mm至2.5mm；

14、所述第一透光区的第二宽度值大于或者等于所述第一宽度值。

15、可选地，所述待去边晶圆还包括中心区域；所述在光刻机中利用所述掩膜版对所述待去边晶圆进行曝光，得到曝光晶圆，包括：

16、在光刻机中，采用目标曝光条件对所述待去边晶圆的所述中心区域和所述边缘区域同时进行曝光，得到曝光晶圆；所述曝光晶圆包括通过所述第一透光区对所述边缘区域进行曝光后得到的曝光后的边缘区域和通过所述第二透光区对所述中心区域进行曝光后得到的曝光后的中心区域；

17、其中，所述目标曝光条件包括曝光能量和焦距，所述曝光能量为2000mj/cm2至5000mj/cm2，所述焦距为0。

18、可选地，所述对所述曝光后的边缘区域进行显影处理，得到去边晶圆，包括：

19、采用同一显影工艺对所述曝光后的中心区域和所述曝光后的边缘区域同时进行显影处理，得到去边晶圆。

20、可选地，所述采用同一显影工艺对所述曝光后的中心区域和所述曝光后的边缘区域同时进行显影处理，得到去边晶圆，包括：

21、采用四甲基氢氧化铵溶液对所述曝光后的中心区域和所述曝光后的边缘区域同时进行显影处理，得到显影处理后的晶圆；

22、所述四甲基氢氧化铵溶液的浓度为2.38％，显影时长为100s至150s。

23、可选地，所述获取待去边晶圆，包括：

24、获取原始晶圆；

25、在所述原始晶圆的上表面涂布光刻胶，得到涂布有所述光刻胶的第一晶圆；

26、对所述第一晶圆进行前烘处理，得到待去边晶圆。

27、第二方面，本申请实施例提供了一种晶圆，所述晶圆为通过如上任一项所述的去边方法得到的晶圆。

28、第三方面，本申请实施例提供了一种电子设备，所述电子设备包括处理器和存储器，所述存储器存储可在所述处理器上运行的程序或指令，所述程序或指令被所述处理器执行时实现如上任一项所述的去边方法。

29、第四方面，本申请实施例提供了一种可读存储介质，所述可读存储介质上存储程序或指令，所述程序或指令被处理器执行时实现如上任一项所述的去边方法。

30、在本申请实施例中，提供一种去边方法，包括：获取待去边晶圆；待去边晶圆包括边缘区域；待去边晶圆的上表面制备有光刻胶层；根据边缘区域的第一尺寸确定掩膜版的第一透光区；在光刻机中利用包括第一透光区的掩膜版对待去边晶圆进行曝光，之后对曝光晶圆中的曝光后的边缘区域进行显影处理，得到去边晶圆。本申请实施例基于待去边晶圆中边缘区域的第一尺寸确定掩膜版中的第一透光区，可以实现对边缘区域曝光尺寸的精确控制，进而实现对去边尺寸的精确控制；在光刻机中利用包括第一透光区的掩膜版对待去边晶圆的边缘区域进行曝光，可以得到边缘整齐的去边区域。此外，在光刻机中利用包括第一透光区的掩膜版对边缘区域进行曝光可以不受光刻胶层厚度的限制，提高了对待去边晶圆进行去边效率。

技术实现思路

技术特征：

1.一种去边方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻胶层的厚度为10μm至20μm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一尺寸为所述边缘区域的第一宽度值，所述第一宽度值为1.5mm至2.5mm；

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待去边晶圆还包括中心区域；

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对所述曝光后的边缘区域进行显影处理，得到去边晶圆，包括：

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述采用同一显影工艺对所述曝光后的中心区域和所述曝光后的边缘区域同时进行显影处理，得到去边晶圆，包括：

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取待去边晶圆，包括：

8.一种晶圆，其特征在于，所述晶圆为通过权利要求1至7中任一项所述去边方法得到的晶圆。

9.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括处理器和存储器，所述存储器存储可在所述处理器上运行的程序或指令，所述程序或指令被所述处理器执行时实现如权利要求1至7任一项所述的去边方法。

10.一种可读存储介质，其特征在于，所述可读存储介质上存储程序或指令，所述程序或指令被处理器执行时实现如权利要求1至7中任一项所述的去边方法。

技术总结
本申请公开了一种去边方法、晶圆、电子设备及可读存储介质。所述方法包括：获取待去边晶圆；待去边晶圆包括边缘区域；待去边晶圆的上表面制备有光刻胶层；确定边缘区域的第一尺寸；根据第一尺寸确定掩膜版的第一透光区；在光刻机中利用掩膜版对待去边晶圆进行曝光处理，得到曝光晶圆；曝光晶圆包括通过第一透光区对边缘区域进行曝光后得到的曝光后的边缘区域；对曝光后的边缘区域进行显影处理，得到去边晶圆。本申请实施例在得到边缘整齐的去边区域的同时还提高了去边效率。

技术研发人员：陈凯,殷瑞腾,杨建平,罗波涛,舒小平
受保护的技术使用者：珠海格力电子元器件有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/12