技术编号:37310996
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件及其制造方法,且尤其是涉及动态随机存取存储器及其制造方法。背景技术、目前将电容堆叠在晶体管之上的堆叠式动态随机存取存储器(dram)可达到高存储器密度的目标。然而,堆叠式动态随机存取存储器的材料层在制造的过程中可能形成悬浮键而导致nmos器件信度的问题。技术实现思路、本发明是针对一种半导体器件及其制造方法,可以提升第一器件(例如是nmos)的信度,且可以避免存储单元区的构件以及周边电路区的第二器件(例如是pmos)的劣化。、根据本发明的实施例,一种依据本发明实施例的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。