半导体器件及其制造方法与流程

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，且尤其是涉及动态随机存取存储器及其制造方法。

背景技术：

1、目前将电容堆叠在晶体管之上的堆叠式动态随机存取存储器(dram)可达到高存储器密度的目标。然而，堆叠式动态随机存取存储器的材料层在制造的过程中可能形成悬浮键而导致nmos器件信度的问题。

技术实现思路

1、本发明是针对一种半导体器件及其制造方法，可以提升第一器件(例如是nmos)的信度，且可以避免存储单元区的构件以及周边电路区的第二器件(例如是pmos)的劣化。

2、根据本发明的实施例，一种依据本发明实施例的一种半导体器件，包括：第一金氧半器件，位于衬底上。第二金氧半器件，位于所述衬底上。第一介电层，在所述第一金氧半器件与所述第二金氧半器件旁。停止层，在所述第一介电层上。第二介电层，覆盖在所述停止层上，其中在所述第一金氧半器件上方的所述第二介电层的厚度大于在所述第二金氧半器件上方的所述第二介电层的厚度。

3、依据本发明实施例的一种半导体器件，包括：第一金氧半器件，位于衬底上。第二金氧半器件，位于所述衬底上。第一介电层，在所述第一金氧半器件与所述第二金氧半器件旁。第一停止层，在所述第一介电层上。第二停止层，在所述第一停止层上，其中在所述第一金氧半器件上方的所述第二停止层的厚度大于在所述第二金氧半器件上方的所述第二停止层的厚度。

4、依据本发明实施例的一种半导体器件的制造方法，包括：形成第一金氧半器件与第二金氧半器件，于衬底上。形成第一介电层，所述第一金氧半器件与所述第二金氧半器件旁。形成第一停止层，在所述第一介电层上。至少移除部分所述第一停止层，以在所述第一停止层中形成开口，所述开口对应于所述第一金氧半器件。进行处理工艺。形成第二介电层，覆盖在所述停止层上。

5、本发明的实施例的半导体器件及其制造方法，可以提升第一器件(例如是nmos)的信度，且可以避免存储单元区的构件以及周边电路区的第二器件(例如是pmos)的劣化。

技术特征：

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二介电层延伸穿过所述停止层，且与所述第一金氧半器件接触。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一金氧半器件包括n型沟道金氧半器件，所述第二金氧半器件包括p型沟道金氧半器件。

4.一种半导体器件，其特征在于，包括：

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述第二停止层与所述第一金氧半器件接触。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中在所述第二停止层与所述第一金氧半器件之间的所述第一停止层的厚度小于在所述第二停止层与所述第二金氧半器件之间的所述第一停止层的厚度。

7.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其中所述处理工艺使用的气体包括氢气。

9.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其中所述形成第二介电层还填入所述开口中。

10.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，还包括形成第二停止层于所述第一停止层上并填入于所述开口中。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其中至少移除部分所述第一停止层，且所述开口的底部裸露出所述第一停止层。

12.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其中至少移除部分所述第一停止层，且所述开口的底部裸露出所述第一金氧半器件。

技术总结
本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件，包括：第一金氧半器件、第二金氧半器件、第一介电层、停止层以及第二介电层。第一金氧半器件与第二金氧半器件位于所述衬底上。第一介电层在所述第一金氧半器件与所述第二金氧半器件旁。停止层在所述第一介电层上。第二介电层，覆盖在所述停止层上。在所述第一金氧半器件上方的所述第二介电层的厚度大于在所述第二金氧半器件上方的所述第二介电层的厚度。

技术研发人员：周美媛,田中义典
受保护的技术使用者：华邦电子股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/12