光电器件、光电器件的制备方法与电子设备与流程

本技术涉及光电，具体涉及一种光电器件、光电器件的制备方法与电子设备。

背景技术：

1、光电器件是指利用半导体的光电效应或热电效应制成的一类器件，包括但不限于是光电池、光电二极管等。以光电二极管为例，有机发光二极管(organic light-emittingdiode,oled)和量子点发光二极管(quantum dot light emitting diodes,qled)均属于光电二极管。oled或qled具有类似“三明治”的结构，即包括阳极、阴极以及发光层，其中，阳极与阴极相对设置，发光层设置于阳极与阴极之间。光电器件的发光原理是：电子从器件的阴极注入至发光区，空穴从器件的阳极注入至发光区，电子和空穴在发光区复合形成激子，复合后的激子通过辐射跃迁的形式释放光子，从而发光。

2、qled是基于量子点作为发光材料的光电二极管，由于量子点是一种典型的无机物，具有良好的稳定性，所以量子点能够弥补有机发光材料易老化、易腐蚀的缺陷，从而有利于提高光电器件的工作寿命，因此，基于qled的发光显示技术是当前最具潜力的新型显示技术。但是，尽管qled研究发展了二十多年，性能指标方面取得了巨大的进步，也展现了巨大的应用发展潜力，但是目前仍存在不足之处，例如qled存在使用寿命不理想的问题，尤其是蓝色qled。

3、因此，如何提高qled的使用寿命，尤其是蓝色qled的使用寿命，对qled的应用与发展具有重要意义。

技术实现思路

1、本技术提供了一种光电器件、光电器件的制备方法与电子设备，以改善光电器件的使用寿命。

2、本技术的技术方案如下：

3、第一方面，本技术提供了一种光电器件，包括：

4、阳极；

5、阴极，与所述阳极相对设置；

6、发光层，设置于所述阳极与所述阴极之间；

7、电子功能层，设置于所述阴极与所述发光层之间；以及

8、界面修饰层，设置于所述电子功能层与所述发光层之间；

9、其中，所述发光层包括第一基团，所述电子功能层包括第二基团，所述界面修饰层的材料包括第三基团，所述第一基团与所述第三基团之间通过氢键结合，所述第二基团与所述第三基团通过氢键结合。

10、可选地，所述第一基团和所述第二基团彼此独立地选自包含羟基、羧基或巯基中至少一者的基团，所述第三基团选自包含氧原子、氟原子或氮原子中至少一者的基团。

11、可选地，所述第一基团选自羟基、羧基、油酸根基团、乙酸根基团、丁酸根基团、戊酸根基团、己酸根基团、花生酸根基团、十酸根基团、十一烯酸根基团、十四酸根基团、硬脂酸根基团、乙硫醇根基团、丙硫醇根基团、巯基乙醇根基团、苯硫醇根基团、辛硫醇根基团、八烷基硫醇根基团、十二烷基硫醇根基团或十八烷基硫醇根基团中的至少一种；

12、和/或，所述第二基团选自羟基、羧基或巯基中的至少一种；

13、和/或，所述第三基团选自羟基或醚基中的至少一种。

14、可选地，所述界面修饰层的材料选自在760mm汞柱下沸点为160℃至300℃的化合物；

15、和/或，所述界面修饰层的厚度为1nm至3nm。

16、可选地，所述界面修饰层的材料选自醇类化合物或醚类化合物中的至少一种。

17、可选地，所述醇类化合物选自甘油、乙二醇、丙二醇、丁三醇、1,2-戊二醇、单季戊四醇、环己醇或2-甲基-2,4-戊二醇中的至少一种；

18、和/或，所述醚类化合物选自丙二醇丁醚或二苯醚中的至少一种。

19、可选地，所述发光层还包括量子点，所述量子点与所述第一基团配位结合；

20、所述量子点选自单一组分量子点、核壳结构量子点、无机钙钛矿量子点或有机-无机杂化钙钛矿量子点的至少一种；当所述量子点选自单一组分量子点或核壳结构量子点时，所述单一组分量子点的材料、所述核壳结构量子点的核的材料以及所述核壳结构量子点的壳的材料彼此独立地选自ii-vi族化合物、iii-v族化合物、iv-vi族化合物或i-iii-vi族化合物中的至少一种，其中，所述ii-vi族化合物选自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete或hgznste中的至少一种，所述iii-v族化合物选自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas或inalpsb中的至少一种，所述iv-vi族化合物选自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete或snpbste中的至少一种，所述i-iii-vi族化合物选自cuins2、cuinse2或agins2中的至少一种。

21、可选地，所述电子功能层还包括金属氧化物，所述金属氧化物与所述第二基团配位结合；所述金属氧化物选自zno、tio2、sno2、bao、ta2o3、zro2、tilio、zngao、znalo、znmgo、znsno、znlio、insno、alzno、znocl、znof或znmglio中的至少一种；

22、所述金属氧化物的平均粒径为2nm至15nm。

23、可选地，所述光电器件还包括空穴功能层，所述空穴功能层设置于所述阳极与所述发光层之间，所述空穴功能层包括空穴注入层和/或空穴传输层，对于包含空穴注入层和空穴传输层的所述空穴功能层，所述空穴注入层较所述空穴传输层更靠近所述阳极，所述空穴传输层较所述空穴注入层更靠近所述发光层；

24、所述空穴注入层的材料选自聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)、酞菁铜、酞菁氧钛、4,4',4'-三(n-3-甲基苯基-n-苯基氨基)三苯胺、4,4',4'-三[2-萘基苯基氨基]三苯基胺、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、过渡金属氧化物或过渡金属硫系化合物中的至少一种，所述过渡金属氧化物选自niox、moox、wox、crox或cuox中的至少一种，所述过渡金属硫系化合物选自mosx、mosex、wsx、wsex或cusx中的至少一种；

25、和/或，所述空穴传输层的材料选自聚(9,9-二辛基芴-co-n-(4-丁基苯基)二苯胺)、3-己基取代聚噻吩、聚(9-乙烯咔唑)、聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、聚(n,n'-二(4-丁基苯基)-n,n'-二苯基-1,4-苯二胺-co-9,9-二辛基芴)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、n,n'-二苯基-n,n'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、n,n'-二苯基-n,n'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)、掺杂或非掺杂的石墨烯、c60、nio、moo3、wo3、v2o5、cro3、cuo或p型氮化镓中的至少一种。

26、第二方面，本技术提供了一种光电器件的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：

27、提供预制器件，在所述预制器件的一侧施加第一溶液，所述第一溶液包含界面修饰材料，以用于形成界面修饰湿膜；

28、其中，所述光电器件为正置型结构，所述预制器件包含阳极和发光层，所述界面修饰湿膜形成于所述发光层远离所述阳极的一侧，在形成所述界面修饰湿膜之后，所述制备方法还包括步骤：

29、在所述界面修饰湿膜远离所述发光层的一侧施加第二溶液，所述第二溶液包含电子功能材料，以用于形成电子功能湿膜；

30、对所述界面修饰湿膜和所述电子功能湿膜进行干燥处理，获得界面修饰层和电子功能层；以及

31、在所述电子功能层远离所述界面修饰层的一侧形成阴极；

32、或者，所述光电器件为倒置型结构，所述预制器件包含阴极和电子功能层，所述界面修饰湿膜形成于所述电子功能层远离所述阴极的一侧，在形成所述界面修饰湿膜之后，所述制备方法还包括步骤：

33、在所述界面修饰湿膜远离所述电子功能层的一侧施加第三溶液，所述第三溶液包含发光材料，以用于形成发光湿膜；

34、对所述界面修饰湿膜和所述发光湿膜进行干燥处理，获得界面修饰层和发光层；以及

35、在所述发光层远离所述界面修饰层的一侧形成阳极；

36、其中，所述发光层包括第一基团，所述电子功能材料包括第二基团，所述界面修饰材料包括第三基团；所述第一基团与所述第三基团之间通过氢键结合；所述第二基团与所述第三基团通过氢键结合。

37、可选地，所述制备方法还包括步骤：在所述电子功能层远离界面修饰层的一侧形成阴极。

38、第三方面，本技术提供了一种光电器件的制备方法，所述光电器件为倒置型结构，所述制备方法包括如下步骤：

39、提供包括阴极和电子功能层的预制器件，在所述电子功能层远离所述阴极的一侧施加液态的界面修饰材料，获得界面修饰湿膜；

40、在所述界面修饰湿膜远离所述电子功能层的一侧施加液态的发光材料，获得发光湿膜；以及

41、对所述界面修饰湿膜和所述发光湿膜进行干燥处理，获得界面修饰层和发光层；

42、其中，所述发光材料包括第一基团，所述电子功能层包括第二基团，所述界面修饰材料包括第三基团；在所述发光层与所述界面修饰层之间的界面，所述第一基团与所述第三基团之间通过氢键结合；在所述电子功能层与所述界面修饰层之间的界面，所述第二基团与所述第三基团通过氢键结合。

43、可选地，所述制备方法还包括步骤：在所述发光层远离界面修饰层的一侧形成阳极。

44、第三方面，本技术提供了一种电子设备，所述电子设备包括如第一方面中任意一种所述的光电器件，或者包括如第二方面中任意一种所述的制备方法制得的光电器件。

45、本技术提供了一种光电器件、光电器件的制备方法与电子设备，具有如下技术效果：在本技术中，

46、在本技术的光电器件中，通过在发光层与电子功能层之间设置界面修饰层，并且发光层与界面修饰层之间以及电子功能层与界面修饰层之间分别形成氢键，从而提高发光层与界面修饰层之间以及电子功能层与界面修饰层之间的机械应力，有效改善了界面间过早分离的问题，进而提高了光电器件的电流效率，并延长了光电器件的使用寿命。

47、在本技术的光电器件制备方法中，采用溶液法制备界面修饰层，即先在预制器件的一侧形成界面修饰湿膜，然后在界面修饰湿膜远离预制器件的一侧形成上层功能湿膜(发光湿膜或电子功能湿膜)，接着对界面修饰湿膜和上层功能湿膜进行干燥处理以形成干膜状态的界面修饰层和上层功能层(发光层或电子功能层)，具有制备工序简单、适用于大规模工业化生产的优点。

48、将本技术的光电器件或所述制备方法制得的光电器件应用于电子设备中，有利于提高电子设备的光电性能和延长电子设备的使用寿命。