1.一种光电器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述第一基团和所述第二基团彼此独立地选自包含羟基、羧基或巯基中至少一者的基团，所述第三基团选自包含氧原子或氟原子中至少一者的基团。
3.根据权利要求2所述的光电器件，其特征在于，所述第一基团选自羟基、羧基、油酸根基团、乙酸根基团、丁酸根基团、戊酸根基团、己酸根基团、花生酸根基团、十酸根基团、十一烯酸根基团、十四酸根基团、硬脂酸根基团、乙硫醇根基团、丙硫醇根基团、巯基乙醇根基团、苯硫醇根基团、辛硫醇根基团、八烷基硫醇根基团、十二烷基硫醇根基团或十八烷基硫醇根基团中的至少一种；
4.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述界面修饰层的材料选自在760mm汞柱下沸点为160℃至300℃的化合物；
5.根据权利要求4所述的光电器件，其特征在于，所述界面修饰层的材料选自醇类化合物或醚类化合物中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的光电器件，其特征在于，所述醇类化合物选自甘油、乙二醇、丙二醇、丁三醇、1,2-戊二醇、单季戊四醇、环己醇或2-甲基-2,4-戊二醇中的至少一种；
7.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述发光层还包括量子点，所述量子点与所述第一基团配位结合；
8.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述电子功能层还包括金属氧化物，所述金属氧化物与所述第二基团配位结合；
9.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件还包括空穴功能层，所述空穴功能层设置于所述阳极与所述发光层之间，所述空穴功能层包括空穴注入层和/或空穴传输层，对于包含空穴注入层和空穴传输层的所述空穴功能层，所述空穴注入层较所述空穴传输层更靠近所述阳极，所述空穴传输层较所述空穴注入层更靠近所述发光层；
10.一种光电器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
11.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求1至9任一项中所述的光电器件，或者如权利要求10所述的制备方法制得的光电器件。