光电器件的制备方法、光电器件及显示装置与流程

本申请涉及显示，尤其涉及一种光电器件的制备方法、由所述制备方法制得的光电器件、以及包括所述光电器件的显示装置。

背景技术：

1、光电器件是指根据光电效应制作的器件，其在新能源、传感、通信、显示、照明等领域具有广泛的应用，如太阳能电池、光电探测器、有机发光二极管(oled)或量子点发光二极管(qled)。

2、传统的光电器件的结构主要包括阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、及阴极。在电场的作用下，光电器件的阳极产生的空穴和阴极产生的电子发生移动，分别向空穴传输层和电子传输层注入，最终迁移到发光层，当二者在发光层相遇时，产生能量激子，从而激发发光分子最终产生可见光。

3、近来，随着显示技术的不断发展，以量子点材料作为发光层的qled正越来越受到人们的关注。qled发光效率高、发光颜色可控、色纯度高、器件稳定性好、可用于柔性用途等特点使qled在显示技术、固态照明等领域具有了巨大的应用前景。经过近二十年的发展，qled器件的性能取得了突飞猛进的发展，尤其是在器件效率上。目前红绿蓝三色的量子点发光二极管器件的工作效率已经到达了较为理想的水平，其外量子效率(eqe)分别都已经达到了20％以上，接近理论极限值，基本满足了未来qled技术工业化量产的需求。

4、然而，红绿蓝三色的qled器件的工作寿命距离量产需求还存在着较大的距离，工作寿命的不足已经成为制约qled技术未来实现产业化的重要瓶颈之一。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请提供一种光电器件的制备方法，旨在改善现有的光电器件寿命较短的问题。

2、本申请实施例是这样实现的，一种光电器件的制备方法，包括：

3、提供层叠的底电极和发光层；

4、在所述发光层的远离所述底电极的表面形成第一载流子功能层，其中，所述第一载流子功能层的远离所述发光层的表面包含无机粒子及连接在无机粒子表面的配体；

5、在所述第一载流子功能层的远离所述发光层的表面形成顶电极，其中，所述顶电极的与所述第一载流子功能层接触的表面包含金属和/或金属氧化物；

6、对所述顶电极进行第一紫外光处理，得到光电器件。

7、相应的，本申请实施例还提供一种由上述制备方法制得的光电器件。

8、相应的，本申请实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括上述光电器件。

9、本申请所述的光电器件的制备方法通过对顶电极进行第一紫外光处理可以使所述配体与所述顶电极中的金属和/或金属氧化物中的金属位点之间形成氢键，所述氢键的形成可以有效地改善所述第一载流子功能层与顶电极之间的接触，使所述第一载流子功能层与所述顶电极之间通过氢键连接，从而减少第一载流子功能层与顶电极之间由于表面配体形成的过渡层的存在所造成的空间位阻，有利于顶电极与第一载流子功能层之间的界面电荷的注入，进而制备得到具有较高发光效率及较长寿命的光电器件。

技术特征：

1.一种光电器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在形成第一载流子功能层后以及形成顶电极之前还包括：

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在形成第一载流子功能层后以及形成顶电极之前还包括：

9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在对所述第一载流子功能层进行第三热处理和第一抽真空处理之前还包括：

10.如权利要求7或8所述的制备方法，其特征在于，

11.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在形成第一载流子功能层后以及形成顶电极之前还包括：

12.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在形成第一载流子功能层后以及形成顶电极之前还包括：

13.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述顶电极进行第一紫外光处理之前还包括：对所述顶电极进行蓝光照射处理，其中，所述蓝光照射处理的波长为420～500nm，和/或，所述蓝光照射处理的蓝光的照度为1000～10000lx，和/或，所述蓝光照射处理的时间为10min～2h。

14.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

15.一种光电器件，其特征在于，所述光电器件由权利要求1～14任意一项所述的制备方法制得。

16.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求15所述的光电器件。

技术总结
本申请公开一种光电器件及其制备方法、显示装置，所述制备方法包括：提供层叠的底电极和发光层；在发光层的表面形成第一载流子功能层，第一载流子功能层的远离发光层的表面包含无机粒子及连接在无机粒子表面的配体；在第一载流子功能层的表面形成顶电极，顶电极的与第一载流子功能层接触的表面包含金属和/或金属氧化物；对顶电极进行第一紫外光理，得到光电器件。所述制备方法可以使配体与顶电极之间形成氢键，使第一载流子功能层与顶电极之间通过氢键连接，减少第一载流子功能层与顶电极之间由于表面配体形成的过渡层的存在所造成的空间位阻，有利于顶电极与第一载流子功能层之间的界面电子的注入，提升光电器件的发光效率及寿命。

技术研发人员：吴龙佳
受保护的技术使用者：TCL科技集团股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/12