技术编号:37334340
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体组件,且特别是涉及一种反熔丝存储器(anti-fusememory)。背景技术、反熔丝存储器是一种个人计算机和电子设备所广泛采用的单次可编程只读存储器(one time programmable rom,otprom)。在反熔丝存储器的操作过程中,通过施加电压使电流流过反熔丝层来造成反熔丝层击穿(高温烧断),以形成导电路径。此外,随着存储器组件的集成度(integration)持续不断地增加,存储器组件朝向速度更快、尺寸更小的目标发展。然而,随着存储器组件的线宽持续缩小,往...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。