技术编号:37377283
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,尤其涉及一种晶体管的制备方法及晶体管。背景技术、薄膜晶体管(thin film transistor,tft)是一种特殊类型的场效应晶体管,它是通过在称为基板的柔性材料上简单地沉积有源半导体薄膜、介电层和栅电极层而制成的。、传统的tft器件普遍采用单栅结构,器件性能不可动态调控,往往不能根据实际应用的需要进行灵活的调控,因此图中的双栅结构的tft器件结构被提出。这种结构可以在一定范围内调控tft的阈值电压,器件的稳定性也优于单栅结构器件。如图所示,双栅结构的tft包括背...
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