技术编号：37426757
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体制造，尤其涉及一种双次曝光方法。背景技术、曝光是集成电路制造中光刻工艺的重要工序之一，其目的是将掩模上的图案转移到涂有光刻胶的晶圆上。曝光过程中，掩模版上的图案通过投影透镜和光线的照射，在晶圆表面的光刻胶上形成对应的图形。、目前常用的曝光技术包括步进式曝光和扫描式曝光。其中，步进式曝光是将整个晶圆分为多个小区域，每个区域分别进行曝光，这种技术在一定程度上确保了曝光的高精度和低误差。然而，步进式曝光中通常采用单次曝光的方法，在不改变曝光机台结构的情况下单次曝光出的掩膜图形精度仍...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。