技术编号:37427747
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及一种电性能优良的高纯半绝缘碳化硅衬底及其制备方法,属于半绝缘碳化硅衬底。背景技术、碳化硅是第三代半导体材料,具有较好的物理电子学特性及化学稳定性,其热导率高、击穿场强大、饱和电子漂移速率大,因此在高温、高频、大功率及耐腐蚀辐射器件制备及应用上具有广阔前景,广泛用于国防、航空航天、通信等领域,使用半绝缘碳化硅衬底制备的晶体管在ghz频率下能够产生超过gaas微波部件五倍功率密度的功率。、目前实现半绝缘的方式基本分为三种:一种是通过人为引入较多的深能级杂质(如v、ti等),来补偿碳...
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