技术编号：37456746
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及抗蚀剂辅助膜组合物和使用该组合物的图案形成方法。背景技术、近年来，随着半导体元件的高集成化和高速度化，要求图案规则(pattern rule)的微细化。这种状况下，在目前用作通用技术的利用光曝光的光刻法中，关于对所用光源如何进行更微细且高精度的图案加工，进行了种种技术开发。、作为形成抗蚀剂图案时所使用的光刻用光源，在集成度低的部分，广泛采用以汞灯的g线(nm)或i线(nm)为光源的光曝光。另一方面，在集成度高且需要微细化的部分，使用波长更短的krf准分子激光(nm...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。