技术编号：37460280
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体，尤其涉及一种可以测试晶体管的漏电电流的晶体管测试设备及其测试方法。背景技术、随着半导体技术的发展以及碳化硅(sic)金属-氧化物-半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，简称mosfet)等新产品的研发，对晶体管测试的要求也越来越高。碳化硅是一种具有出色的物理、化学和电性能特性的半导体材料，在功率半导体器件领域，特别是大功率、高电压条件下，具有很好的应用前景。晶体管的重要特性包括漏电极和源电极之间...
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