技术编号：37460509
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体功率器件，特别是一种集成高k介质三沟槽型碳化硅纵向功率器件及制备方法。背景技术、碳化硅材料作为第三代宽禁带半导体材料的代表，由于其高禁带宽度、临界击穿电场和热导率等优势，替代传统硅材料，被广泛应用于充放电设备、新能源汽车、卫星通信等领域。碳化硅功率半导体器件是新一代功率集成电路的核心组成部件，在结构上主要分为碳化硅横向功率器件和碳化硅纵向功率器件。碳化硅横向功率器件虽然拥有良好的集成性，但其横向耐压的方式导致比导通电阻增大，不适用于高压低功耗领域。沟槽型碳化硅纵向功率器件又因其...
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