技术编号:37461145
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及由cvd-sic形成的多晶sic成型体及其制造方法。背景技术、多晶sic成型体的耐热性、耐腐蚀性及强度等各种特性优异,用于各种用途。多晶sic成型体通过cvd法在基材的表面析出多晶sic,成膜后除去基材而得到。、例如,在专利文献中,已知用于半导体制造装置用的部件、蚀刻装置、cvd装置等的部件。、现有技术文献、专利文献、专利文献:日本特开-号公报。技术实现思路、发明概述、多晶sic成型体根据用途要求有各种各样的特性。、例如,如专利文献所述,在将多晶...
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