技术编号：3746303
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及通过火焰水解法制备的用二价金属氧化物掺杂的氧化铝及其水分散体、它们的制备和用途。背景技术 化学-机械抛光法(CMP方法)是一种用来将表面平面化和在半导体片上产生亚微米范围结构的技术。为了这一目的，通常使用那些含有一种或多种化学活性物质的分散体，其含有至少一种磨料以及大量能够根据所需用途改变分散体性能的添加剂。CMP方法中的磨料颗粒应该在不擦伤被抛光表面的情况下具有高的研磨速率，这尤其重要。此外，分散体应该能稳定地防止磨料颗粒的絮凝和沉淀。分散体中...
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