技术编号:37466016
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及gan器件,具体涉及一种势垒插入层p沟道异质结晶体管,属于电力电子器件领域。背景技术、由于gan材料本身所具有的高击穿场强、高电子饱和速度和异质结高迁移率等特点,基于宽带隙gan半导体材料的微波功率器件有望突破si基器件的限制,成为下一代功率转换系统的候选者。、按照载流子的导电类型可以将gan器件分为n型和p型两种类型,n型器件是以电子导电为主,p型器件是以空穴导电为主。由于二维电子气(deg)密度高、电子迁移率高的优点,gan高电子迁移率晶体管(hemt)适用于高功率和高频应用...
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