技术编号:37468975
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开的实施例涉及一种半导体装置的制备方法、半导体装置和电子设备。背景技术、单片三维集成是一种先进的集成电路技术,它旨在通过垂直堆叠多层器件来提高芯片的性能和功能密度。单片三维集成技术需要后道兼容的晶体管技术来实现多层器件的有效堆叠和互连。、然而,硅基器件例如mosfet(metal-oxide-semiconductor field-effecttransistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)和finfet(fin field-effect transistor,鳍式场效应晶体管),制...
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