技术编号:37476081
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种氢氧化镍包覆钽铌酸银颗粒及p(vdf-ctfe)基介电复合薄膜的制备方法。背景技术、聚合物基介电储能电容器因为具有充放电速度快,能量密度高等优点,被广泛应用与新能源汽车和电磁设备等重要领域,在当今g技术快速发展的背景下受到了极大的关注。由于市场对于电容器轻薄化、功能多样化的需求,薄膜电容器体现出越来越重要的价值,而目前商用的薄膜电容器多为双向拉伸的聚丙烯材料(bopp),其能量密度仅为j/cm,远远无法满足市场的需求,因此对于介电储能材料的设计与开发迫在眉睫。、与传统的铁...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。