技术编号：37477222
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于光刻、特别是用于制造集成电路的抗蚀剂组合物，具有大的非亲核性抗衡离子的烷基锡-氧代笼(alkyltin-oxo cage)阳离子的用途；一种基材，其包含至少一个涂覆有包含具有大的非亲核性抗衡离子的烷基锡-氧代笼阳离子的组合物的表面；以及使用此类抗蚀剂组合物制造半导体的方法。特别地，本发明涉及用于euv光刻的抗蚀剂组合物。大的非亲核性抗衡离子包括四(五氟苯基)硼酸根、四[,-双(三氟甲基)苯基]硼酸根、四[,-双(叔丁基)苯基]硼酸根以及四[(,-双(,,,,,...
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