技术编号：3751035
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及化合物半导体纳米材料制备，特别涉及ー种水溶性闪锌矿结构的CuInS2和CuInS2/ZnS核壳结构量子点及其制备方法。背景技术量子点(quantum dot, QD)是由很少数目的原子或分子组成的集合体，它的尺寸一般小于10nm，通常为球形或类球形。由于量子点的尺寸接近甚至小于相应半导体体相材料的激子(电子-空穴对)Bohr半径，受激发时产生的电子和空穴被限制在狭小的三维空间，因而表现出独特的量子尺寸效应、介电限域效应、表面效应和宏观量子隧道效应...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。