技术编号:3752124
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及薄膜晶体管领域,尤其涉及一种应用于晶体管的氧化物半导体薄膜的制备方法,还涉及应用该制备方法制备的氧化物半导体薄膜,以及应用该氧化物半导体薄膜的薄膜晶体管,还包括所述薄膜晶体管的制备方法。背景技术采用氧化物制作薄膜晶体管近年来备受关注,它们有着高的迁移率和透过率,传统的非晶硅迁移率较低、光敏性强,多晶硅薄膜晶体管工艺复杂,而有机薄膜晶体管又难以克服低寿命、低迁移率的弱点,用氧化物制成全透明的薄膜晶体管用在有源矩阵驱动显示器上将大大提高有源矩阵的开口...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。