技术编号:37544295
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体晶体生长工艺,更具体的说,涉及一种半导体晶体的生长方法。背景技术、单晶体原则上可以由固态、液态(熔体或溶液)或气态生长而得。实际上人工晶体多半由熔体达到一定的过冷或溶液达到一定的过饱和而得。晶体生长是用一定的方法和技术,使单晶体由液态或气态结晶成长。由液态结晶又可以分成熔体生长或溶液生长两大类。、半导体晶体的生长方法主要采用熔体生长法。熔体生长法主要有直拉法(又称丘克拉斯基法)、坩埚下降法、区熔法、焰熔法(又称维尔纳叶法)等。、基于熔体生长法制备半导体晶体时,多需要基于籽晶...
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