一种半导体晶体的生长方法与流程

本申请涉及半导体晶体生长工艺，更具体的说，涉及一种半导体晶体的生长方法。

背景技术：

1、单晶体原则上可以由固态、液态(熔体或溶液)或气态生长而得。实际上人工晶体多半由熔体达到一定的过冷或溶液达到一定的过饱和而得。晶体生长是用一定的方法和技术，使单晶体由液态或气态结晶成长。由液态结晶又可以分成熔体生长或溶液生长两大类。

2、半导体晶体的生长方法主要采用熔体生长法。熔体生长法主要有直拉法(又称丘克拉斯基法)、坩埚下降法、区熔法、焰熔法(又称维尔纳叶法)等。

3、基于熔体生长法制备半导体晶体时，多需要基于籽晶进行半导体晶体的生长，而半导体晶体的生长会继承籽晶表面的一些缺陷，从而影响所制备的半导体晶体的质量。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请提供了一种半导体晶体的生长方法，方案如下：

2、一种半导体晶体的生长方法，包括：

3、提供籽晶，所述籽晶具有第一表面，所述第一表面用于生长所述半导体晶体；

4、获取所述第一表面中缺陷数据；

5、基于所述缺陷数据，在所述第一表面中确定缺陷密集区域；其中，所述缺陷密集区域中，单位面积内，至少一种缺陷的分布密度大于对应的设定阈值；

6、在所述缺陷密集区域的表面上固定扩径生长结构件；

7、基于具有所述扩径生长结构件的第一表面，生长所述半导体晶体。

8、优选的，在上述半导体晶体的生长方法中，所述缺陷包括：螺纹位错、螺纹刃位错、基面位错以及微管中的至少一种；

9、所述螺纹位错对应的设定阈值为300个/cm2～10000个/cm2；

10、所述螺纹刃位错对应的设定阈值为10000个/cm2～20000个/cm2；

11、所述基面位错对应的设定阈值为2000个/cm2～10000个/cm2；

12、所述微管对应的设定阈值为5个/cm2～5000个/cm2。

13、优选的，在上述半导体晶体的生长方法中，所述扩径生长结构件为圆锥体，所述圆锥体的圆形底面完全覆盖所述缺陷密集区域。

14、优选的，在上述半导体晶体的生长方法中，所述圆锥体为石墨圆锥。

15、优选的，在上述半导体晶体的生长方法中，所述缺陷密集区域为圆形；

16、所述圆形底面的圆心与所述缺陷密集区域的圆心满足重合条件，所述圆形底面的直径与所述缺陷密集区域的直径具有预设差值，所述预设差值的范围是0.2mm～0.5mm。

17、优选的，在上述半导体晶体的生长方法中，所述圆锥体的锥度不小于1:1。

18、优选的，在上述半导体晶体的生长方法中，所述锥度不小于1.5:1。

19、优选的，在上述半导体晶体的生长方法中，所述籽晶为不小于6英寸的晶圆。

20、优选的，在上述半导体晶体的生长方法中，在所述缺陷密集区域的表面上固定所述扩径生长结构件的方法包括：

21、采用胶层将所述扩径生长结构件固定在所述缺陷密集区域的表面上；

22、在烧结炉中进行烧结，以固化所述胶层。

23、优选的，在上述半导体晶体的生长方法中，还包括：

24、对生长完成的所述半导体晶体进行切割处理，切割去除部分的厚度不小于所述扩径生长结构件的高度。

25、通过上述描述可知，本申请技术方案提供的半导体晶体的生长方法中，在进行半导体晶体生长之前，对籽晶进行缺陷检测，以获取第一表面的缺陷数据，基于缺陷数据确定第一表面中缺陷密集区域，通过扩径生长结构件覆盖缺陷密集区域之后，基于具有扩径生长结构件的第一表面，进行半导体晶体的生长，从而能够避免缺陷密集区域中缺陷对所制备半导体晶体质量的影响。

技术特征：

1.一种半导体晶体的生长方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体晶体的生长方法，其特征在于，所述缺陷包括：螺纹位错、螺纹刃位错、基面位错以及微管中的至少一种；

3.根据权利要求1所述的半导体晶体的生长方法，其特征在于，所述扩径生长结构件为圆锥体，所述圆锥体的圆形底面完全覆盖所述缺陷密集区域。

4.根据权利要求3所述的半导体晶体的生长方法，其特征在于，所述圆锥体为石墨圆锥。

5.根据权利要求3所述的半导体晶体的生长方法，其特征在于，所述缺陷密集区域为圆形；

6.根据权利要求3所述的半导体晶体的生长方法，其特征在于，所述圆锥体的锥度不小于1:1。

7.根据权利要求6所述的半导体晶体的生长方法，其特征在于，所述锥度不小于1.5:1。

8.根据权利要求1所述的半导体晶体的生长方法，其特征在于，所述籽晶为不小于6英寸的晶圆。

9.根据权利要求1所述的半导体晶体的生长方法，其特征在于，在所述缺陷密集区域的表面上固定所述扩径生长结构件的方法包括：

10.根据权利要求1-9任一项所述的半导体晶体的生长方法，其特征在于，还包括：

技术总结
本申请公开了一种半导体晶体的生长方法，在进行半导体晶体生长之前，对籽晶进行缺陷检测，以获取第一表面的缺陷数据，基于缺陷数据确定第一表面中缺陷密集区域，通过扩径生长结构件覆盖缺陷密集区域之后，基于具有扩径生长结构件的第一表面，进行半导体晶体的生长，从而能够避免缺陷密集区域中缺陷对所制备半导体晶体质量的影响。

技术研发人员：汪坪,范立伟,杨剑挥,王波,彭同华,曾江,杨建
受保护的技术使用者：深圳市重投天科半导体有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/7