技术编号:37545034
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及存储器,具体而言,涉及一种动态随机存储器测试方法及装置。背景技术、动态随机存储器(dynamic random access memory,dram)芯片的老炼测试是通过对芯片工作状态的控制和温度应力的施加,剔除早期失效。老炼测试向量主要目的是增加件内部的测试应力,提高老炼效率,促使器件反常现象出现,以在早期淘汰不合格产品。、dram芯片的电容老炼测试部分向量需要写入背景。相关技术中写入背景时逐条字线(word line,wl)进行激活(active),并在每条字线激活后逐条位线(...
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