动态随机存储器测试方法及装置与流程

本公开涉及存储器，具体而言，涉及一种动态随机存储器测试方法及装置。

背景技术：

1、动态随机存储器(dynamic random access memory，dram)芯片的老炼测试是通过对芯片工作状态的控制和温度应力的施加，剔除早期失效。老炼测试向量主要目的是增加件内部的测试应力，提高老炼效率，促使器件反常现象出现，以在早期淘汰不合格产品。

2、dram芯片的电容老炼测试部分向量需要写入背景。相关技术中写入背景时逐条字线(word line，wl)进行激活(active)，并在每条字线激活后逐条位线(bit line，bl)写入(write)，然后在位线都写入后预充电(precharge)，进入下一条字线的激活动作，因此导致这些指令动作涉及的电路损耗大于电容，有可能会导致dram电容老炼效率仍不足，而部分器件例如wl电路、bl电路、感应放大器(sense amplifier，sa)电路或其他电路等，已提早进入损耗失效期。

3、如上所述，如何在电容老炼测试中减小写入背景导致的wl、bl、sa等电路的损耗成为亟待解决的问题。

4、在所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

1、本公开的目的在于提供一种动态随机存储器测试方法及装置，可在电容老炼测试中至少在一定程度上减小写入背景导致的wl、bl、sa等电路的损耗。

2、本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。

3、根据本公开的一方面，提供一种动态随机存储器测试方法，包括：所述动态随机存储器包括衬底和多个存储单元，各个存储单元包括存储电容和第一晶体管，所述第一晶体管为nmos晶体管，各个存储单元的存储电容的第一极板与对应第一晶体管的漏极电连接，各个存储单元的第一晶体管的p型硅基板与所述衬底电连接，所述方法包括：通过在所述衬底上施加第一电压，并在各个存储单元的存储电容的第二极板上施加第二电压，对各个存储单元的存储电容进行充电，所述第一电压高于所述第二电压；在各个存储单元的存储电容充电预定时长后，对所述各个存储单元进行读取操作，以对所述动态随机存储器进行老炼测试。

4、根据本公开的一实施例，通过在所述衬底上施加第一电压，并在各个存储电容的第二极板上施加第二电压，包括：向电压切换电路的输入端发送第一输入信号，以将在所述衬底上施加的电压从第三电压切换为所述第一电压，并将在各个存储电容的第二极板上施加的电压从第四电压切换为所述第二电压；其中，所述第三电压低于所述第一电压，所述第四电压高于所述第二电压，所述第四电压高于所述第三电压。

5、根据本公开的一实施例，所述电压切换电路包括第一反相器和第二反相器，所述第一反相器的输入端与所述第二反相器的输入端相连接；向电压切换电路的输入端发送第一输入信号，以将在所述衬底上施加的电压从第三电压切换为所述第一电压，并将在各个存储电容的第二极板上施加的电压从第四电压切换为所述第二电压，包括：向所述第一反相器与所述第二反相器的共用输入端发送所述第一输入信号，以通过所述第一反相器将在所述衬底上施加的电压从所述第三电压切换为所述第一电压，并通过所述第二反相器将在各个存储电容的第二极板上施加的电压从第四电压切换为所述第二电压。

6、根据本公开的一实施例，在各个存储单元的存储电容充电预定时长后，对所述各个存储单元进行读取操作，包括：在各个存储单元的存储电容充电预定时长后，向所述电压切换电路的输入端发送第二输入信号，以将在所述衬底上施加的电压从所述第一电压切换为所述第三电压，并将在各个存储电容的第二极板上施加的电压从所述第二电压切换为所述第四电压。

7、根据本公开的一实施例，所述电压切换电路包括第一反相器和第二反相器，所述第一反相器与所述第二反相器共用输入端；向所述电压切换电路的输入端发送第二输入信号，以将在所述衬底上施加的电压从所述第一电压切换为所述第三电压，并将在各个存储电容的第二极板上施加的电压从所述第二电压切换为所述第四电压，包括：向所述第一反相器与所述第二反相器的共用输入端发送所述第二输入信号，以通过所述第一反相器将在所述衬底上施加的电压从所述第一电压切换为所述第三电压，并将在各个存储电容的第二极板上施加的电压从所述第二电压切换为所述第四电压。

8、根据本公开的一实施例，所述方法还包括：获得所述多个存储单元的区域大小；根据所述多个存储单元的区域大小确定第一电压与第二电压之间的电压差，以获得所述第一电压和所述第二电压。

9、根据本公开的再一方面，提供一种动态随机存储器测试装置，包括：所述动态随机存储器包括衬底和多个存储单元，各个存储单元包括存储电容和第一晶体管，所述第一晶体管为nmos晶体管，各个存储单元的存储电容的第一极板与对应第一晶体管的漏极电连接，各个存储单元的第一晶体管的p型硅基板与所述衬底电连接，所述装置包括：控制模块，用于通过在所述衬底上施加第一电压，并在各个存储单元的存储电容的第二极板上施加第二电压，对各个存储单元的存储电容进行充电，所述第一电压高于所述第二电压；测试模块，用于在各个存储单元的存储电容充电预定时长后，对所述各个存储单元进行读取操作，以对所述动态随机存储器进行老炼测试。

10、根据本公开的一实施例，所述控制模块，还用于：向电压切换电路的输入端发送第一输入信号，以将在所述衬底上施加的电压从第三电压切换为所述第一电压，并将在各个存储电容的第二极板上施加的电压从第四电压切换为所述第二电压；其中，所述第三电压低于所述第一电压，所述第四电压高于所述第二电压，所述第四电压高于所述第三电压。

11、根据本公开的一实施例，所述电压切换电路包括第一反相器和第二反相器，所述第一反相器的输入端与所述第二反相器的输入端相连接；所述控制模块，还用于：向所述第一反相器与所述第二反相器的共用输入端发送所述第一输入信号，以通过所述第一反相器将在所述衬底上施加的电压从所述第三电压切换为所述第一电压，并通过所述第二反相器将在各个存储电容的第二极板上施加的电压从第四电压切换为所述第二电压。

12、根据本公开的一实施例，所述控制模块，还用于：在各个存储单元的存储电容充电预定时长后，向所述电压切换电路的输入端发送第二输入信号，以将在所述衬底上施加的电压从所述第一电压切换为所述第三电压，并将在各个存储电容的第二极板上施加的电压从所述第二电压切换为所述第四电压。

13、根据本公开的一实施例，所述电压切换电路包括第一反相器和第二反相器，所述第一反相器与所述第二反相器共用输入端；所述控制模块，还用于：向所述第一反相器与所述第二反相器的共用输入端发送所述第二输入信号，以通过所述第一反相器将在所述衬底上施加的电压从所述第一电压切换为所述第三电压，并将在各个存储电容的第二极板上施加的电压从所述第二电压切换为所述第四电压。

14、根据本公开的一实施例，所述装置还包括：确定模块，还用于获得所述多个存储单元的区域大小；根据所述多个存储单元的区域大小确定第一电压与第二电压之间的电压差，以获得所述第一电压和所述第二电压。

15、根据本公开的再一方面，提供一种动态随机存储器测试装置，包括待测试动态随机存储器和电压切换电路，其中：所述待测试动态随机存储器包括衬底和多个存储单元，各个存储单元包括存储电容和第一晶体管，所述第一晶体管为nmos晶体管，各个存储单元的存储电容的第一极板与对应第一晶体管的漏极电连接，各个存储单元的第一晶体管的p型硅基板与所述衬底电连接；所述电压切换电路包括第一输出端和第二输出端，所述电压切换电路的第一输出端与所述衬底电连接，用于向所述衬底施加第一电压，所述电压切换电路的第二输出端与各个存储电容的第二极板电连接，用于在各个存储电容的第二极板上施加第二电压，所述第一电压高于所述第二电压，以对各个存储单元的存储电容进行充电。

16、根据本公开的一实施例，所述电压切换电路包括第一反相器和第二反相器，所述第一反相器的输入端与所述第二反相器的输入端相连接，所述第一反相器的输出端为所述第一输出端，所述第二反相器的输出端为所述第二输出端。

17、根据本公开的一实施例，所述第一反相器与所述第二反相器均为cmos晶体管。

18、根据本公开的一实施例，第一反相器的nmos晶体管的漏极、pmos晶体管的漏极与所述第一输出端相连接，第一反相器的pmos晶体管的源极的输入电压为所述第一电压，第一反相器的nmos晶体管的源极的输入电压为第三电压；第二反相器的nmos晶体管的漏极、pmos晶体管的漏极与所述第二输出端相连接，第二反相器的pmos晶体管的源极的输入电压为所述第二电压，第二反相器的nmos晶体管的源极的输入电压为第四电压，所述第四电压高于所述第三电压；所述第一反相器的输入端与所述第二反相器的输入端用于接收第一输入信号，以使所述第一反相器的pmos晶体管和所述第二反相器的pmos晶体管导通，以及第一反相器的nmos晶体管和第二反相器的nmos晶体管截止。

19、根据本公开的一实施例，所述第一反相器的输入端与所述第二反相器的输入端还用于接收第二输入信号，以使所述第一反相器的pmos晶体管和所述第二反相器的pmos晶体管截止，以及第一反相器的nmos晶体管和第二反相器的nmos晶体管导通。

20、根据本公开的一实施例，第一反相器的nmos晶体管的漏极、pmos晶体管的漏极与所述第一输出端相连接，第一反相器的nmos晶体管的源极的输入电压为所述第一电压，第一反相器的pmos晶体管的源极的输入电压为第三电压；第二反相器的nmos晶体管的漏极、pmos晶体管的漏极与所述第二输出端相连接，第二反相器的nmos晶体管的源极的输入电压为所述第二电压，第二反相器的pmos晶体管的源极的输入电压为第四电压，所述第四电压高于所述第三电压；所述第一反相器的输入端与所述第二反相器的输入端用于接收第一输入信号，以使所述第一反相器的nmos晶体管和所述第二反相器的nmos晶体管导通，以及第一反相器的pmos晶体管和第二反相器的pmos晶体管截止。

21、根据本公开的一实施例，所述第一反相器的输入端与所述第二反相器的输入端还用于接收第二输入信号，以使所述第一反相器的nmos晶体管和所述第二反相器的nmos晶体管截止，以及第一反相器的pmos晶体管和第二反相器的pmos晶体管导通。

22、根据本公开的一实施例，所述电压切换电路的第一输出端通过连接插塞与所述衬底电连接。

23、根据本公开的再一方面，提供一种电子设备，包括：存储器、处理器及存储在所述存储器中并可在所述处理器中运行的可执行指令，所述处理器执行所述可执行指令时实现如上述任一种方法。

24、根据本公开的再一方面，提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机可执行指令，所述可执行指令被处理器执行时实现如上述任一种方法。

25、本公开的实施例提供的动态随机存储器测试方法，通过在与各个存储单元的第一晶体管的p型硅基板电连接的衬底上施加第一电压，并在第一极板与对应第一晶体管的漏极电连接的各个存储电容的第二极板上施加低于第一电压的第二电压，对各个存储单元的存储电容进行充电，然后在各个存储单元的存储电容充电预定时长后，对各个存储单元进行读取操作，以对动态随机存储器进行老炼测试，可替代相关技术中电容老炼测试中写入测试背景采用的字线激活、位线写入、预充电的指令动作，从而避免了这些指令动作涉及的电路因写入背景而导致的损耗。

26、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本公开。