技术编号：37558450
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件，更具地地，涉及一种功率器件结终端结构、制造方法及功率器件。背景技术、在电力电子领域，功率半导体器件作为关键部件，其特性对系统性能的实现和改善有着至关重要的作用。功率半导体器件最主要的特点之一是其阻断高压的能力，根据应用场合的不同，硅器件的击穿电压可以从用于电源系统的v以下到用于电力传输的.kv。功率半导体器件阻断高压的能力主要取决于器件结构中特定pn结的反偏击穿电压。但随着pn结外加反向偏压增大，会引起雪崩击穿现象，该现象是限制功率器件最大工作电压的主要因素。在功...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。