技术编号:37592606
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体,特别涉及一种半导体器件及其制作方法。背景技术、随着工艺节点的不断缩小,栅极结构需要采用高介电常数金属栅极。由于金属栅极不耐高温,现有技术通常采用后栅极工艺形成金属栅极。在后栅极工艺中,需要先在栅极区域形成伪栅极,在高温退火之后将伪栅极中的栅极材料除去,再向其中填入金属,形成金属栅极。但在伪栅极去除的过程中,不同区域的伪栅极高度不同,进而影响后续金属栅极的形成。此外,在去除伪栅极的过程中,容易在栅极区域之间的介电层上形成较大的凹陷,在后续制程中引起金属残留,影响器件的电学性能。...
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