技术编号：3761044
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子加工领域中的化学机械抛光技术，特别涉及一种超大规模集成电路制作工艺中多层绝缘膜全局平面化加工用的化学机械抛光液。背景技术 随着微电子技术的迅猛发展，电子器件的集成化程度越来越高，目前的甚大规模集成电路芯片集程度已高达几十亿个元器件，特征尺寸已进入纳米级，这就要求微电子加工工艺中的近百道工序，尤其是层间绝缘介质以及多层布线必须进行全局平面化，而化学机械抛光(CMP)是已被证明的最好的全局平坦化方法。SiO2水基溶液是目前最具代表性的CMP技术...
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