技术编号：37621513
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请属于半导体装备，具体涉及一种晶体生长炉及半导体工艺设备。背景技术、随着碳化硅市场的扩产，对碳化硅衬底的需求急剧上升，需要对炉体进行有效的产能优化。当前，碳化硅晶体生长和高纯碳化硅粉料的合成采用单腔结构，且单腔结构内使用单一热场。随着产能的不断提升，单腔结构所使用的坩埚的直径越来越大，此种情况下会导致坩埚内的温差变大，导致坩埚内的材料受热不均，因此，导致材料内部缺陷较多，降低了产出质量。技术实现思路、本申请实施例的目的是提供一种晶体生长炉和半导体工艺设备，至少能够解决当前单腔结构的坩埚内...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。