晶体生长炉及半导体工艺设备的制作方法

本申请属于半导体装备，具体涉及一种晶体生长炉及半导体工艺设备。

背景技术：

1、随着碳化硅市场的扩产，对碳化硅衬底的需求急剧上升，需要对炉体进行有效的产能优化。当前，碳化硅晶体生长和高纯碳化硅粉料的合成采用单腔结构，且单腔结构内使用单一热场。随着产能的不断提升，单腔结构所使用的坩埚的直径越来越大，此种情况下会导致坩埚内的温差变大，导致坩埚内的材料受热不均，因此，导致材料内部缺陷较多，降低了产出质量。

技术实现思路

1、本申请实施例的目的是提供一种晶体生长炉和半导体工艺设备，至少能够解决当前单腔结构的坩埚内温差较大，导致材料受热不均的问题。

2、为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：

3、本申请实施例提供了一种晶体生长炉，包括：第一热场、第二热场、过渡传热件、第一发热器和第二发热器；

4、所述第一热场与所述第二热场沿轴向方向设置，所述过渡传热件连接于所述第一热场与所述第二热场之间，用于在所述第一热场与所述第二热场之间传热；

5、所述第一发热器设置于所述第一热场和所述过渡传热件的外侧，用于对所述第一热场和所述过渡传热件传热，所述第二发热器设置于所述第二热场的外侧，用于对所述第二热场传热。

6、本申请实施例还提供了一种半导体工艺设备，包括：第一柜体和多个上述晶体生长炉；

7、所述第一柜体包括多个成阵列排布的腔室，多个所述晶体生长炉一一对应地设置于多个所述腔室中。

8、本申请实施例中，第一热场和第二热场通过过渡传热件实现连接，从而可以使第一热场与第二热场之间的热量经由过渡传热件进行传输，具体可以是，第一发热器传输至第一热场的热量可以经由过渡传热件传输至第二热场，可以使第二热场的与过渡传热件连接的区域的温度有所升高，并与第二热场从外侧传递至第二热场的热量叠加，从而可以缩小第二热场在与过渡传热件连接的区域的径向温度差，使该区域在径向方向上受热更加均匀，进而促使该区域达到热均衡状态；与此同时，第一发热器还向过渡传热件传热，使其温度升高，且通过过渡传热件向第一热场传热，从而进一步调整第一热场在轴向方向上的温度梯度，进而可以有利于提高工艺效果。

技术特征：

1.一种晶体生长炉，其特征在于，包括：第一热场(110)、第二热场(120)、过渡传热件(130)、第一发热器(140)和第二发热器(150)；

2.根据权利要求1所述的晶体生长炉，其特征在于，所述过渡传热件(130)具有贯通腔(131)，所述贯通腔(131)沿所述轴向方向设置。

3.根据权利要求1或2所述的晶体生长炉，其特征在于，所述过渡传热件(130)为石墨传热件。

4.根据权利要求1所述的晶体生长炉，其特征在于，所述第一发热器(140)沿所述轴向方向可移动地设置于所述第一热场(110)和所述过渡传热件(130)的外侧。

5.根据权利要求4所述的晶体生长炉，其特征在于，在所述第一发热器(140)移动至所述第一热场(110)的邻近所述过渡传热件(130)的区域的外侧以及所述过渡传热件(130)的外侧的情况下，所述第一发热器(140)分别向所述第一热场(110)的邻近所述过渡传热件(130)的区域以及所述过渡传热件(130)传热。

6.根据权利要求4所述的晶体生长炉，其特征在于，在所述第一发热器(140)移动至所述第一热场(110)的邻近所述过渡传热件(130)的区域的外侧以及所述过渡传热件(130)的外侧的情况下，所述第一发热器(140)通过所述过渡传热件(130)向所述第二热场(120)的邻近所述过渡传热件(130)的区域传热。

7.根据权利要求1所述的晶体生长炉，其特征在于，所述晶体生长炉还包括壳体(160)，所述壳体(160)具有容纳空间；

8.根据权利要求7所述的晶体生长炉，其特征在于，所述晶体生长炉(100)还包括支撑件(170)和过渡支架(180)，所述支撑件(170)设置于所述壳体(160)的底部，所述过渡支架(180)与所述第二热场(120)的远离所述过渡传热件(130)的一端连接；

9.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：第一柜体(200)和多个权利要求1至8中任意一项所述的晶体生长炉(100)；

10.根据权利要求9所述的半导体工艺设备，其特征在于，相邻两个所述腔室(210)之间设有隔热层(220)。

11.根据权利要求9所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备还包括第二柜体(300)和设置于第二柜体(300)中的托举装置(400)；

技术总结
本申请公开了一种晶体生长炉及半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种晶体生长炉，包括：第一热场、第二热场、过渡传热件、第一发热器和第二发热器；所述第一热场与所述第二热场沿轴向方向设置，所述过渡传热件连接于所述第一热场与所述第二热场之间，用于在所述第一热场与所述第二热场之间传热；所述第一发热器设置于所述第一热场和所述过渡传热件的外侧，用于对所述第一热场和所述过渡传热件传热，所述第二发热器设置于所述第二热场的外侧，用于对所述第二热场传热。一种半导体工艺设备，包括上述晶体生长炉。本申请能够解决当前单腔结构的坩埚内温度差值较大，导致材料受热不均的问题。

技术研发人员：焦芳,张磊,余峰,吴周礼
受保护的技术使用者：北京北方华创微电子装备有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/17