技术编号:37627527
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本技术涉及分离提纯的,具体地,涉及一种氯硅烷提纯装置。背景技术、目前,电子级多晶硅主要通过改良西门子法制得,将高纯三氯氢硅通入化学气相沉积(cvd)装置进行气相沉积,得到电子级多晶硅棒。高纯三氯氢硅是通过蒸馏从氯硅烷混合物中分离出来的,而氯硅烷合成过程中会引入含硼、含磷的化合物,如三氯化硼、三氯化磷、五氯化磷等,该化合物在沉积多晶硅棒反应中会掺入硅中,进而影响多晶硅棒的纯度,所以需要在三氯氢硅精制中去除。现有的提纯方法,多采用吸附剂对塔顶物料及塔釜物料进行吸附处理,由于含硼化合物的沸点较低,提...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。