氯硅烷提纯装置的制作方法

本技术涉及分离提纯的，具体地，涉及一种氯硅烷提纯装置。

背景技术：

1、目前，电子级多晶硅主要通过改良西门子法制得，将高纯三氯氢硅通入化学气相沉积(cvd)装置进行气相沉积，得到电子级多晶硅棒。高纯三氯氢硅是通过蒸馏从氯硅烷混合物中分离出来的，而氯硅烷合成过程中会引入含硼、含磷的化合物，如三氯化硼、三氯化磷、五氯化磷等，该化合物在沉积多晶硅棒反应中会掺入硅中，进而影响多晶硅棒的纯度，所以需要在三氯氢硅精制中去除。现有的提纯方法，多采用吸附剂对塔顶物料及塔釜物料进行吸附处理，由于含硼化合物的沸点较低，提纯过程中精馏塔塔顶富集含硼化合物，而吸附塔多设置在精馏塔的塔顶采出端，精馏塔塔顶含硼化合物浓度较高，需要流经足够高的吸附塔方可有效去除含硼化合物；另一方面，由于含磷化合物沸点相对较高，因此含磷化合物通常在精馏塔塔底富集，而精馏塔塔釜温度较高，吸附剂在此温度下效率低。此外，也有采用络合去除磷硼的方案，但需要在精馏塔内引入络合剂，使得精馏塔内的物料系统更为复杂。

技术实现思路

1、本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本实用新型的一个目的在于提出一种氯硅烷提纯装置，该氯硅烷提纯装置在保证充分去除杂质的同时可有效降低吸附塔的高度。

2、在本实用新型的一方面，本实用新型提供了一种氯硅烷提纯装置。根据本实用新型的实施例，该氯硅烷提纯装置包括：精馏塔，所述精馏塔的塔顶具有顶端出口；冷凝装置，所述冷凝装置与所述顶端出口连接；吸附塔，所述吸附塔的入口与所述冷凝装置的出口连通；分流器，所述分流器的入口与所述吸附塔的出口连通，且所述分流器的一个出口与所述精馏塔连通。由此，本实用新型通过在精馏塔塔顶设置吸附塔，将吸附塔设置在冷凝装置之后，分流器之前，即回流和采出之前，一方面，气相物料经冷凝后再通入吸附塔进行吸附，冷凝液温度相对塔釜的温度较低，有助于吸附塔内吸附剂对杂质(主要是低沸点杂质，比如含硼化合物、含砷化合物)的吸附；另一方面，气相物料经冷凝后首先经吸附塔吸附除去杂质后，再经分流器回流至精馏塔，可减少或清除回流至精馏塔内的回流液中的杂质，有利于精馏塔内气液相传质，维持精馏塔塔顶气相较低的杂质含量，避免塔顶气相中杂质的聚集，从而改善精馏塔内气液相平衡，精馏塔稳定运行后可有效降低精馏塔内气相中的杂质含量，进而有助于降低吸附塔的高度，提高精馏塔运行的弹性。

3、根据本实用新型的实施例，所述氯硅烷提纯装置还包括：络合反应釜，所述络合反应釜与所述精馏塔的底端出口连通。

4、根据本实用新型的实施例，所述氯硅烷提纯装置还包括：缓冲罐，所述缓冲罐位于所述冷凝装置与所述吸附塔之间，所述缓冲罐的入口与所述冷凝装置的出口连通，所述缓冲罐的出口与所述吸附塔的入口连通。

5、根据本实用新型的实施例，所述络合反应釜设置有加热组件。

6、根据本实用新型的实施例，所述络合反应釜具有第一顶端出口，所述精馏塔具有底端入口，所述第一顶端出口与所述底端入口连通。

7、根据本实用新型的实施例，所述氯硅烷提纯装置还包括：络合剂储存罐，所述络合剂储存罐与所述络合反应釜连通。

8、根据本实用新型的实施例，所述络合反应釜还具有物料出口。

9、根据本实用新型的实施例，所述氯硅烷提纯装置还包括：第一泵，所述第一泵位于所述缓冲罐和所述吸附塔之间。

10、根据本实用新型的实施例，所述氯硅烷提纯装置还包括：第二泵，所述第二泵位于所述精馏塔的底端出口与所述络合反应釜之间；第三泵，所述第三泵位于所述络合反应釜与络合剂储存罐之间。

11、根据本实用新型的实施例，所述氯硅烷提纯装置还包括：控制阀，所述控制阀位于所述分流器和所述精馏塔之间。

12、本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。

技术特征：

1.一种氯硅烷提纯装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的氯硅烷提纯装置，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求1所述的氯硅烷提纯装置，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求2所述的氯硅烷提纯装置，其特征在于，所述络合反应釜设置有加热组件。

5.根据权利要求4所述的氯硅烷提纯装置，其特征在于，所述络合反应釜具有第一顶端出口，所述精馏塔具有底端入口，所述第一顶端出口与所述底端入口连通。

6.根据权利要求2所述的氯硅烷提纯装置，其特征在于，还包括：

7.根据权利要求6所述的氯硅烷提纯装置，其特征在于，所述络合反应釜还具有物料出口。

8.根据权利要求3所述的氯硅烷提纯装置，其特征在于，还包括：

9.根据权利要求6或7所述的氯硅烷提纯装置，其特征在于，还包括：

10.根据权利要求1～7中任一项所述的氯硅烷提纯装置，其特征在于，还包括：

技术总结
本技术提供了氯硅烷提纯装置。该氯硅烷提纯装置包括：精馏塔，精馏塔的塔顶具有顶端出口；冷凝装置，冷凝装置与顶端出口连接；吸附塔，吸附塔的入口与冷凝装置的出口连通；分流器，分流器的入口与吸附塔的出口连通，且分流器的一个出口与精馏塔连通。由此，本技术通过在精馏塔塔顶设置吸附塔，将吸附塔设置在冷凝装置之后，分流器之前，气相物料经冷凝后首先经吸附塔吸附除去杂质后，再经分流器回流至精馏塔，可减少或清除回流液中的杂质，有利于维持精馏塔塔顶气相较低的杂质含量，从而改善精馏塔内气液相平衡，精馏塔稳定运行后可有效降低精馏塔内气相中的杂质含量，进而有助于降低吸附塔的高度，提高精馏塔运行的弹性。

技术研发人员：陈学辉,孙彬,韩秀娟,齐兰兰,闫家强,吴锋,田新
受保护的技术使用者：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
技术研发日：20230814
技术公布日：2024/4/17