技术编号：37794462
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。背景技术、半导体设备制造涉及存储器堆叠件的形成，其形成可能很困难，并且通常对蚀刻处理敏感，例如暴露于高能物质，并且对氧化、湿气以及蚀刻后额外暴露于高能物质敏感。因此，一些存储器堆叠件经历蚀刻后处理以解决蚀刻和暴露于环境造成的损坏，随后可以在后续处理之前对存储器堆叠件进行封装。然而，一些在封装之前进行后蚀刻处理的方法以及相应的装置可能无法充分解决对存储器堆叠件的损坏和暴露，并且可能进一步损坏存储器堆叠件。、这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。在此背景技术部分中描述的范围内的当前...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。