用于加工硫族化物的技术和装置的制作方法

背景技术：

1、半导体设备制造涉及存储器堆叠件的形成，其形成可能很困难，并且通常对蚀刻处理敏感，例如暴露于高能物质，并且对氧化、湿气以及蚀刻后额外暴露于高能物质敏感。因此，一些存储器堆叠件经历蚀刻后处理以解决蚀刻和暴露于环境造成的损坏，随后可以在后续处理之前对存储器堆叠件进行封装。然而，一些在封装之前进行后蚀刻处理的方法以及相应的装置可能无法充分解决对存储器堆叠件的损坏和暴露，并且可能进一步损坏存储器堆叠件。

2、这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。在此背景技术部分中描述的范围内的当前指定的发明人的工作以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。

技术实现思路

1、本公开的系统、方法和设备均具有多个创新方面，其中没有一个单独地负责本文所公开的期望属性。这些方面中包括至少以下实现方案，但是进一步的实现方案可以在详细描述中阐述或者可以从本文提供的讨论中显而易见。

技术特征：

1.一种方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述硫族化物材料包括相变材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述硫族化物材料包括锗锑碲。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一化学物质包括氟化氢、氟化氮、氟化硫、氟化氙、氯化氢、氯化硫或氯化氮。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述化合物还包含以下中的一种或多种：多个氯原子、氢、甲基或乙基。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述化合物包括二甲基氯化铝和三甲基铝之一。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其还包括在所述蚀刻之后将封装材料沉积到所述蚀刻的硫族化物材料层上。

8.根据权利要求7所述的方法，其还包括在所述蚀刻之后且在所述沉积之前将所述晶片转移到第二处理室，其中所述沉积在所述第二处理室中执行。

9.根据权利要求8所述的方法，其中在所述晶片保持在真空压强下的情况下执行所述转移。

10.根据权利要求7所述的方法，其中所述封装材料包括铝。

11.根据权利要求10所述的方法，其中：

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述化合物是二甲基氯化铝或三甲基铝。

13.根据权利要求10所述的方法，其中所述沉积是在与所述蚀刻相同的处理室中进行的。

14.根据权利要求10所述的方法，其还包括：

15.根据权利要求7所述的方法，其中：

16.根据权利要求15所述的方法，其还包括在所述第二硫族化物材料层的所述蚀刻之后，将第二封装材料沉积到所述第二硫族化物材料层上。

17.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中：

18.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中：

19.根据权利要求18所述的方法，其中使所述第一处理气体流到所述晶片上与使所述第二处理气体流到所述晶片上至少部分地重叠。

20.根据权利要求18所述的方法，其中使所述第一处理气体流动与使所述第二处理气体流到所述晶片上不重叠。

21.根据权利要求20所述的方法，其中所述蚀刻还包括：

22.根据权利要求21所述的方法，其中所述蚀刻还包括在停止所述第一处理气体之前、期间或之后开始所述清扫气体的所述流动。

23.根据权利要求18所述的方法，其中：

24.根据权利要求18所述的方法，其中使所述第一处理气体流动和使所述第二处理气体流动两者执行基本上相同的时间段。

25.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述蚀刻包括使包含所述第一化学物质和所述第二化学物质的处理气体流到所述晶片上。

26.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中所述改性包括使用等离子体。

27.根据权利要求26所述的方法，其中所述等离子体是远程等离子体。

28.根据权利要求26所述的方法，其中所述等离子体在所述处理室中产生。

29.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中所述改性不使用等离子体。

30.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中当所述晶片保持在基本相同的温度时发生所述改性和所述去除。

31.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中：

32.根据权利要求31所述的方法，其还包括在所述改性之后将所述晶片从所述第一温度加热到大于所述第一温度的所述第二温度。

33.根据权利要求31所述的方法，其还包括在所述改性之后将所述晶片从所述第一温度冷却至低于所述第一温度的所述第二温度。

34.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中当所述晶片从所述第一温度改变至不同于所述第一温度的第二温度时发生所述改性。

35.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中在所述晶片从所述第一温度改变至不同于所述第一温度的第二温度时发生所述去除。

36.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中在所述处理室维持在基本相同的压强下时发生所述改性和所述去除。

37.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中：

38.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中当所述处理室压强从第一压强改变为不同于所述第一压强的第二压强时发生所述改性。

39.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中在所述处理室压强从第一压强改变为不同于所述第一压强的第二压强时发生所述去除。

40.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中所述第一化学物质包括以下之一：氟化氢、氟化硫、氟化氮、氟化氙、氯化氢、氯化硫或氯化氮。

41.一种用于半导体加工的装置，所述装置包括：

42.根据权利要求41所述的装置，其中：

43.根据权利要求42所述的装置，其中对所述晶片上的所述硫族化物材料层的蚀刻和对所述第二晶片上的所述硫族化物材料层的蚀刻同时进行。

44.根据权利要求41所述的装置，其还包括：

45.根据权利要求41所述的装置，其中：

技术总结
可以通过以下方式蚀刻硫族化物材料层：将具有硫族化物材料层的晶片提供给处理室，将晶片加热到第一温度，在晶片处于第一温度时通过使包含氟化物或氯化物的第一化学物质流动到晶片上来改性硫族化物材料层的表面以产生硫族化物材料的改性层，并且在不使用等离子体的情况下，通过使第二化学物质流动到晶片上来去除硫族化物材料的改性层，所述第二化学物质包括具有中心原子铝、硼、硅或锗且具有至少一个氯原子的化合物。

技术研发人员：约翰·霍昂,亚伦·林恩·罗赞,安德烈亚斯·菲舍尔,沈美华,索斯藤·贝恩德·莱尔,萨沙撒耶·瓦拉达拉简
受保护的技术使用者：朗姆研究公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/29