技术编号:37798302
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及太阳能电池制造领域,尤其涉及一种氧化膜及其制备方法、太阳能电池。背景技术、目前行业内的新型高转换效率太阳能电池技术,通常使用低压化学气相沉积(low-pressure cvd,简称为lpcvd)工艺来制备遂穿氧化膜层,从而实现对硅片表面的钝化处理。随着现代太阳能电池制造技术的发展,对硅片氧化膜层的质量及钝化效果的要求越来越高。技术实现思路、针对上述问题,本发明提供一种氧化膜及其制备方法、太阳能电池,本发明的氧化膜制备方法包括:将硅片依次进行第一次氧化处理和第二次氧化处理,所述第一次...
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