氧化膜及其制备方法、太阳能电池与流程

本发明涉及太阳能电池制造领域，尤其涉及一种氧化膜及其制备方法、太阳能电池。

背景技术：

1、目前行业内的新型高转换效率太阳能电池技术，通常使用低压化学气相沉积(low-pressure cvd，简称为lpcvd）工艺来制备遂穿氧化膜层，从而实现对硅片表面的钝化处理。随着现代太阳能电池制造技术的发展，对硅片氧化膜层的质量及钝化效果的要求越来越高。

技术实现思路

1、针对上述问题，本发明提供一种氧化膜及其制备方法、太阳能电池，本发明的氧化膜制备方法包括：将硅片依次进行第一次氧化处理和第二次氧化处理，所述第一次氧化处理的氧气流量小于所述第二次氧化处理的氧气流量，所述第一次氧化处理的压力小于所述第二次氧化处理的压力。本发明通过在生成氧化膜的过程中分别进行两次氧化处理，能够有效提升氧化膜膜层的质量，及硅片表面的钝化效果，提高太阳能电池的转换效率。

2、本发明的第一方面提供一种氧化膜的制备方法，包括：将硅片依次进行第一次氧化处理和第二次氧化处理，所述第一次氧化处理的氧气流量小于所述第二次氧化处理的氧气流量，所述第一次氧化处理的压力小于所述第二次氧化处理的压力。

3、在一具体实施方式中，所述第一次氧化处理的条件包括：压力范围为200-300mtorr，氧气流量为2000-5000sccm。

4、在一具体实施方式中，所述第二次氧化处理的条件包括：压力范围为1000-1100mtorr，氧气流量为30000-38000sccm。

5、在一具体实施方式中，所述第一次氧化处理与所述第二次氧化处理的压力之比为1：（3.5-5）。

6、在一具体实施方式中，所述第一次氧化处理阶段的氧气流量与所述第二次氧化处理阶段的氧气流量之比为1：（6-16）。

7、在一具体实施方式中，所述氧化膜的制备方法包括以下步骤：

8、s1、对所述硅片进行前处理；

9、s2、将所述步骤s1所得硅片进舟进行第一次升温处理，然后对其进行所述第一次氧化处理；

10、s3、对所述步骤s2所得硅片进行所述第二次氧化处理，使其表面形成所述氧化膜。

11、在一具体实施方式中，在所述步骤s2中，所述第一次氧化处理的过程中进行第二次升温处理；

12、在一具体实施方式中，所述第二次升温处理的加热功率为20-100kw；

13、在一具体实施方式中，所述第二次升温处理的温度区间为600-620℃。

14、在一具体实施方式中，在所述步骤s3中，所述第二次氧化处理的过程中始终处于恒温状态；

15、在一具体实施方式中，所述恒温状态的温度控制在620±5℃。

16、本发明的第二方面提供一种氧化膜，所述氧化膜由本发明第一方面所述氧化膜的制备方法制备得到。

17、本发明的第三方面提供一种太阳能电池，所述太阳能电池包括衬底，所述衬底的表面形成有本发明第二方面所述的氧化膜。

18、通过上述技术方案，本发明与现有技术相比至少具有以下有益效果：本发明提供的氧化膜的制备方法在生成氧化膜的过程中分别进行两次氧化处理，能够使生成的硅的氧化膜层保持较好的成膜质量，提升钝化效果，还能够提升pl测试的亮度，缩小片间pl亮度极差差异，起到提升太阳能电池转换效率的作用。

19、在本文中所披露的范围的端点和任何值都不限于该精确的范围或值，这些范围或值应当理解为包含接近这些范围或值的值。对于数值范围来说，各个范围的端点值之间、各个范围的端点值和单独的点值之间，以及单独的点值之间可以彼此组合而得到一个或多个新的数值范围，这些数值范围应被视为在本文中具体公开。

技术特征：

1.一种氧化膜的制备方法，其特征在于，包括：将硅片依次进行第一次氧化处理和第二次氧化处理，所述第一次氧化处理的氧气流量小于所述第二次氧化处理的氧气流量，所述第一次氧化处理的压力小于所述第二次氧化处理的压力。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一次氧化处理的条件包括：压力范围为200-300mtorr，氧气流量为2000-5000sccm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二次氧化处理的条件包括：压力范围为1000-1100mtorr，氧气流量为30000-38000sccm。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一次氧化处理与所述第二次氧化处理的压力之比为1：（3.5-5）。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一次氧化处理阶段的氧气流量与所述第二次氧化处理阶段的氧气流量之比为1：（6-16）。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氧化膜的制备方法包括以下步骤：

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤s2中，所述第一次氧化处理的过程中进行第二次升温处理；

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤s3中，所述第二次氧化处理的过程中始终处于恒温状态；

9.一种氧化膜，其特征在于，所述氧化膜由权利要求1-8任一项所述氧化膜的制备方法制备得到。

10.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括衬底，所述衬底的表面形成有权利要求9所述的氧化膜。

技术总结
本发明涉及太阳能电池制造领域，尤其涉及一种氧化膜及其制备方法、太阳能电池。本发明的氧化膜制备方法包括：将硅片依次进行第一次氧化处理和第二次氧化处理，所述第一次氧化处理的氧气流量小于所述第二次氧化处理的氧气流量，所述第一次氧化处理的压力小于所述第二次氧化处理的压力。本发明通过在生成氧化膜的过程中分别进行两次氧化处理，能够有效提升氧化膜膜层的质量，及硅片表面的钝化效果，提高太阳能电池的转换效率。

技术研发人员：蔡福华,毛文龙,梁笑,林佳继
受保护的技术使用者：拉普拉斯新能源科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/29