技术编号：37801954
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体，特别涉及一种led芯片及其制备方法。背景技术、高压led芯片因为iso隔离槽较深，在进行tcl光刻时，需要使用较大的曝光量，以使沟槽处的光刻胶显影干净，但是较大的曝光量会使非沟槽处的光刻胶过曝，实际线宽与设计线宽相差较多，使得tcl距离mesa较远，浪费一部分发光面积。、具体的，常规制作高压led的流程为:、mesa，去除部分p型半导体及发光层，裸露出n型半导体；、iso，制作隔离槽；、cbl，制作电流阻挡层；、tcl，制作透明导电层；、pad，蒸镀电极；、ps...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。