技术编号：3780521
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了含荧蒽的有机半导体材料及其制备方法和有机电致发光器件，所述含荧蒽的有机半导体材料为如下结构式所示的化合物P，其中，Ar为。该材料含有荧蒽三苯稠环芳烃基团，与咔唑基团及苯基形成共轭结构，且具有较大的平面刚性，使本发明的含荧蒽的有机半导体材料具有较高的电致发光效率以及热稳定性，利于延长发光器件的使用寿命。专利说明含荧蒽的有机半导体材料及其制备和有机电致发光器件[0001]本发明涉及光电材料领域，特别是涉及一种含荧蒽的有机半导体材料及其制备方法和有机...
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