含荧蒽的有机半导体材料及其制备和有机电致发光器件的制作方法
【专利摘要】本发明提供了含荧蒽的有机半导体材料及其制备方法和有机电致发光器件，所述含荧蒽的有机半导体材料为如下结构式所示的化合物P，其中，Ar为。该材料含有荧蒽三苯稠环芳烃基团，与咔唑基团及苯基形成共轭结构，且具有较大的平面刚性，使本发明的含荧蒽的有机半导体材料具有较高的电致发光效率以及热稳定性，利于延长发光器件的使用寿命。
【专利说明】含荧蒽的有机半导体材料及其制备和有机电致发光器件
【技术领域】
[0001]本发明涉及光电材料领域，特别是涉及一种含荧蒽的有机半导体材料及其制备方法和有机电致发光器件。
【背景技术】
[0002]随着信息时代的发展，高效、节能、轻质的有机电致发光平板显示器(OLEDs)及大面积白光照明越来越受到人们的关注。OLED技术被全球的科学家关注，相关的企业和实验室都在进行这项技术的研发。作为一种新型的LED技术，具有主动发光且轻、薄、对比度好、能耗低、可制成柔性器件等特点的有机电致发光器件对有机半导体材料提出了较高的要求。
[0003]1987年，美国Eastman Kodak公司的Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展，而要实现全色显示及照明等应用目的，发光器件必须具有一定的效率和寿命。目前高效的荧光材料比较缺乏。
【发明内容】
[0004]为解决上述高效的荧光材料较缺乏的问题，本发明旨在提供一种含荧蒽的有机半导体材料，该有机半导体材料具有良好的载流子传输性能和电致发光效率，同时具有较高的热稳定性，利于延长发光器件的使用寿命。
[0005]本发 明还提供该有机半导体材料的制备方法及含有该有机半导体材料的有机电致发光器件。
[0006]—方面，本发明提供一种含突蒽的有机半导体材料，所述含突蒽的有机半导体材料为如下结构式所示的化合物P，简称ArDPBFA:
[0007]
【权利要求】
1.一种含荧蒽的有机半导体材料，其特征在于，该材料为如下结构式所示的化合物P:
2.一种含荧蒽的有机半导体材料的制备方法，其特征在于包括如下步骤:分别提供如下结构式表示的化合物A和化合物B:
3.如权利要求2所述的含荧蒽的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述化合物A与化合物B的摩尔比为1:(广2)。
4.如权利要求2所述的含荧蒽的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述有机钯催化剂与化合物A的摩尔比为(0.05^0.1):1。
5.如权利要求2所述的含荧蒽的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述有机钯催化剂为四(三苯基膦)钯、双(三苯基膦)二氯化钯或三(二亚苄基丙酮)二钯中的一种或多种。
6.如权利要求2所述的含荧蒽的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述碱性溶液为2mol/L的Cs2CO3水溶液、K2C03水溶液或Na2CO3水溶液中的一种或多种；所述碱性溶液中溶质的摩尔用量为化合物A的摩尔用量的20~25倍。
7.如权利要求2所述的含荧蒽的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂为四氢呋喃、乙二醇二甲醚或甲苯。`
8.如权利要求2所述的含荧蒽的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述Suzuki耦合反应的反应温度为75~120°C，反应时间为24~48小时。
9.如权利要求2所述的含荧蒽的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述含荧蒽的有机半导体材料的制备方法进一步包括分离纯化的步骤，所述分离纯化的步骤如下:将反应结束后得到的含有含荧蒽的有机半导体材料的反应液加入饱和氯化铵水溶液中，用二氯甲烷萃取，有机相用氯化钠水溶液洗，干燥，旋蒸除去二氯甲烷后得到粗产物，随后将粗产物进行硅胶柱层析分离提纯，得到提纯后的含荧蒽的有机半导体材料。
10.一种有机电致发光器件，包括阳极、功能层、发光层和阴极，其特征在于，所述发光层的材质为权利要求1所述的如下结构式所示的含荧蒽的有机半导体材料，即化合物P:
【文档编号】C09K11/06GK103772265SQ201210409143
【公开日】2014年5月7日 申请日期:2012年10月24日 优先权日:2012年10月24日
【发明者】周明杰, 王平, 梁禄生, 张振华 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司