一种用于电流控制的新型精密半导体三极管的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及三极管装置技术领域，具体的说是一种用于电流控制的新型精密半导体三极管。
【背景技术】
[0002]随着科技之发展，电子产品种类越来越多。三极管是常用的电子元件，可以将电流和信号放大、被应用于信号放大器和电子开关等多种领域，是电子电路的核心元件。三极管在使用时，会产生大量的热量，如果三极管的热量无法释放，很容易烧坏三极管，继而损坏女口广叩ο
[0003]基于以上原因，需要一种用于电流控制的新型精密半导体三极管，散热部远离芯片的一面为散热面，散热良好，同时可增大导线与接电区的接触面积，从而提高电流的瞬时导通性，与单焊接点相比，爆管几率大大降低，保证了产品稳定性。
【实用新型内容】
[0004]为了解决上述现有技术存在的技术问题，本实用新型提供一种用于电流控制的新型精密半导体三极管。
[0005]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:
[0006]一种用于电流控制的新型精密半导体三极管:包括三极管底板、三极管基极、金属连接电线、顶部散热片，所述三极管底板上方设置有弹性塑料密封体，P型半导体与所述三极管基极连接，三极管芯片与三极管发射极连接，N型半导体与所述金属连接电线连接，所述金属连接电线下方设置有三极管集电极，底部散热片与芯片绝缘外壳连接，所述顶部散热片与顶部散热孔连接。
[0007]作为本实用新型的优选方案，所述三极管底板与所述弹性塑料密封体连接，所述P型半导体与所述三极管基极连接。
[0008]作为本实用新型的优选方案，所述三极管芯片与所述三极管发射极连接，所述N型半导体与所述金属连接电线连接。
[0009]作为本实用新型的优选方案，所述三极管集电极与所述底部散热片连接，所述芯片绝缘外壳与所述顶部散热片连接。
[0010]作为本实用新型的优选方案，所述顶部散热孔与所述底部散热片连接，所述芯片绝缘外壳与所述三极管基极连接。
[0011]本实用新型的有益效果是:散热部远离芯片的一面为散热面，散热良好，同时可增大导线与接电区的接触面积，从而提高电流的瞬时导通性，与单焊接点相比，爆管几率大大降低，保证了产品稳定性。
【附图说明】
[0012]下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
[0013]图1是本实用新型的主视图；
[0014]图2是本实用新型的左视图。
[0015]1、三极管底板；2、弹性塑料密封体；3、P型半导体；4、三极管基极；5、三极管芯片；
6、三极管发射极；7、N型半导体；8、金属连接电线；9、三极管集电极；10、底部散热片；11、芯片绝缘外壳；12、顶部散热片；13、顶部散热孔。
【具体实施方式】
[0016]为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0017]如图1-图2所示，本实用新型的一种用于电流控制的新型精密半导体三极管:包括三极管底板1、三极管基极4、金属连接电线8、顶部散热片12，所述三极管底板I上方设置有弹性塑料密封体2，P型半导体3与所述三极管基极4连接，三极管芯片5与三极管发射极6连接，N型半导体7与所述金属连接电线8连接，所述金属连接电线8下方设置有三极管集电极9，底部散热片10与芯片绝缘外壳11连接，所述顶部散热片12与顶部散热孔13连接。
[0018]作为本实用新型一个较佳的实施例，如图1所示，三极管底板I上方设置有弹性塑料密封体2，用以对三极管内部装置进行密封同时防止外部震动损坏三极管，P型半导体3与三极管基极4连接，用以三极管传导内部电信号，三极管芯片5与三极管发射极6连接，用以对三极管进行自动化管理同时将三极管内部信号进行发射，N型半导体7与金属连接电线8连接，用以传输三极管内部电信号，三极管集电极9用以对三极管内部电流进行收集。
[0019]作为本实用新型另一个较佳的实施例，如图2所示，底部散热片10用以对N型半导体散发的热量进行散热，防止过热使三极管损坏，芯片绝缘外壳11用以对三极管芯片进行绝缘，顶部散热片12用以对P型半导体进行散热，顶部散热孔13用以将三极管内部热量散发。
[0020]以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【主权项】
1.一种用于电流控制的新型精密半导体三极管:包括三极管底板(I)、三极管基极(4)、金属连接电线(8)、顶部散热片(12)，所述三极管底板(I)上方设置有弹性塑料密封体(2 )，P型半导体(3 )与所述三极管基极(4)连接，三极管芯片(5 )与三极管发射极(6 )连接，N型半导体(7)与所述金属连接电线(8)连接，所述金属连接电线(8)下方设置有三极管集电极(9)，底部散热片(10)与芯片绝缘外壳(11)连接，所述顶部散热片(12)与顶部散热孔(13)连接。2.根据权利要求1所述的一种用于电流控制的新型精密半导体三极管，其特征在于:所述三极管底板(I)与所述弹性塑料密封体(2 )连接，所述P型半导体(3 )与所述三极管基极(4)连接。3.根据权利要求1所述的一种用于电流控制的新型精密半导体三极管，其特征在于:所述三极管芯片(5 )与所述三极管发射极(6 )连接，所述N型半导体(7 )与所述金属连接电线(8)连接。4.根据权利要求1所述的一种用于电流控制的新型精密半导体三极管，其特征在于:所述三极管集电极(9 )与所述底部散热片(10 )连接，所述芯片绝缘外壳(11)与所述顶部散热片(12)连接。5.根据权利要求1所述的一种用于电流控制的新型精密半导体三极管，其特征在于:所述顶部散热孔(13)与所述底部散热片(10)连接，所述芯片绝缘外壳(11)与所述三极管基极⑷连接。
【专利摘要】本实用新型涉及一种用于电流控制的新型精密半导体三极管：包括三极管底板、三极管基极、金属连接电线、顶部散热片，所述三极管底板上方设置有弹性塑料密封体，P型半导体与所述三极管基极连接，三极管芯片与三极管发射极连接，N型半导体与所述金属连接电线连接，所述金属连接电线下方设置有三极管集电极，底部散热片与芯片绝缘外壳连接，所述顶部散热片与顶部散热孔连接。本实用新型的有益效果是：散热部远离芯片的一面为散热面，散热良好，同时可增大导线与接电区的接触面积，从而提高电流的瞬时导通性，与单焊接点相比，爆管几率大大降低，保证了产品稳定性。
【IPC分类】H01L23/49, H01L23/367
【公开号】CN205355035
【申请号】CN201520842232
【发明人】何定
【申请人】深圳旺科知识产权运营中心有限公司
【公开日】2016年6月29日
【申请日】2015年10月28日