光电子的半导体构件和用于制造光电子的半导体构件的方法
【技术领域】
[0001]提出一种光电子的半导体构件。此外，提出一种用于制造这种光电子的半导体构件的方法。
【发明内容】
[0002]待实现的目的是:提出一种光电子的半导体构件，所述光电子的半导体构件构建用于波长转换并且可有效地制造。
[0003]该目的还通过具有独立权利要求的特征的光电子的半导体构件和方法来实现。优选的改进方案是从属权利要求的主题。
[0004]根据至少一个实施方式，光电子的半导体构件包含载体。载体具有至少一个转换机构体和囊封体。转换机构体包括一种或多种发光材料。至少一种发光材料构建用于至少部分地吸收初级辐射并且将其转换为更长波长的次级辐射。
[0005]根据至少一个实施方式，囊封体局部地形状配合地模制到转换机构体上、尤其是借助于喷涂或者压制。囊封体与转换机构体机械牢固地并且持久地连接。这能够意味着:囊封体在半导体构件的常规使用中不从转换机构体处脱离。
[0006]根据至少一个实施方式，囊封体围绕转换机构体，在半导体构件的俯视图中来观察，局部地或者在四周围绕转换机构体。囊封体能够形成为一种用于转换机构体的环绕的框。特别地，转换机构体通过囊封体来机械稳定。
[0007]根据半导体构件的至少一个实施方式，电接触结构间接地或者直接地安置在载体上。间接地能够意味着:接触结构至少局部地与载体隔开，然而优选机械牢固地与载体连接。直接地例如意味着:接触结构至少局部地接触载体。半导体构件可经由电接触结构电连接，并且通过电接触结构限定了半导体构件内部的电流路径。
[0008]根据至少一个实施方式，半导体构件包括多个光电子的半导体芯片。半导体芯片构建用于产生辐射。半导体芯片优选是发光二极管芯片。半导体芯片在半导体构件运行时例如发射可见光、近红外辐射或者近紫外光谱范围中的辐射。
[0009]根据至少一个实施方式，半导体芯片安置在载体上。优选地，半导体芯片直接与转换机构体机械连接。这能够意味着:在半导体芯片和转换机构体之间尤其是在电接触位置上仅存在一个连接机构如焊料或者粘胶。换句话说，转换机构体于是能够用作为用于半导体芯片的安装平台并且半导体芯片安装在转换机构体上。
[0010]根据至少一个实施方式，转换机构体成形为板。这能够意味着:转换机构体具有两个彼此相对置的、在制造公差的范围中平均平面地成形的主侧。转换机构体的横向尺寸在俯视图中观察超出转换机构体的厚度、尤其是超出至少一个因数10或者至少一个因数50或者至少一个因数200。这两个主侧平均地平面地成形并且不排除:在主侧的至少一个中构成粗糙部例如用于改进辐射耦合输出或者用于改进粘接性能。
[0011 ] 根据至少一个实施方式，转换机构体连续地在半导体芯片中的多个上或者在半导体构件的所有的半导体芯片上延伸。特别地，半导体构件具有恰好一个转换机构体，在所述转换机构体上安置有所有的半导体芯片。
[0012]根据至少一个实施方式，转换机构体在横向上超出半导体芯片。也就是说，在俯视图中观察，转换机构体超出半导体芯片的至少一部分或者超出所有的半导体芯片。
[0013]根据至少一个实施方式，转换机构体没有用于电接触结构的凹陷部。此外，转换机构体优选不由电接触结构穿过。因此可行的是，转换机构体成形为不具有开口的连续的板并且具有基本上恒定的厚度。在俯视图中观察，优选在转换机构体的环周线内部并且在转换机构体的这两个主侧之间随后不存在接触机构。转换机构体由此不具有内部的结构，所述内部的结构构建用于电接触半导体芯片和/或半导体构件。
[0014]在至少一个实施方式中，光电子的半导体构件包含具有至少一个转换机构体和至少一个囊封体的载体。在俯视图中观察，囊封体至少局部地围绕转换机构体。电接触结构安置在载体上。同样，多个光电子的半导体芯片安置在载体上。半导体芯片构建用于产生辐射。转换机构体形成为板。在俯视图中观察，转换机构体优选连续地在半导体芯片的多个上延伸并且优选超出半导体芯片。半导体芯片机械直接与转换机构体连接。转换机构体没有用于电接触结构的凹陷部并且不由电接触结构穿过。
[0015]在常规的具有多个半导体芯片的装置中，这些半导体芯片施加在系统载体上、例如金属芯电路板或者电路板上并且在该系统载体上电布线和/或电互接。为了借助于发光二极管产生白光，通常尤其是为了普通照明的目的使用转换材料。对此例如将各个转换小板施加到安装在系统载体上的并且已经电互接的发光二极管芯片上。然而这类系统载体、尤其是金属芯电路板是相对成本密集的并且精确匹配地将转换小板安置到半导体芯片上提高了生产耗费。
[0016]在所提出的光电子的半导体构件中，转换机构体本身用作为用于半导体芯片的安装平面。特别地，载体能够与一个或多个转换机构体构成为塑料晶片。在载体处或者在其上的布线由此能够与转换机构体的制造尺寸无关地以成本适宜的批量工艺进行。载体能够通过常规的装配工艺装配半导体芯片。
[0017]在这样的光电子的半导体构件中，如果为了制造热沉使用更成本适宜的、尤其是平坦化的电镀工艺，那么能够弃用金属芯电路板。通过使用连续的转换机构体来代替各个转换小板减少了制造耗费。能够实现在转换机构体和半导体芯片之间的小的热阻从而实现改进的冷却。此外，通过转换机构体实现半导体芯片的附加的机械稳定化。借助于连续的转换机构体也可实现均匀的发光面。
[0018]根据至少一个实施方式，载体是机械承载和支撑半导体构件的部件。载体因此是机械自承的。在没有载体的情况下，半导体构件于是机械不稳定的和/或不是自承的。
[0019]根据至少一个实施方式，相邻的半导体芯片彼此间具有至多400 μπι或者至多300 μm或者至多200 μπι或者至多150 μm的间距或者平均间距。替选地或者附加地，该间距为至少20 μ m或者至少30 μ m或者至少50 μ m。
[0020]根据至少一个实施方式，电接触结构至少在载体的背离辐射主侧的一侧上构成为印制导线。印制导线构建用于对各个半导体芯片通电。半导体芯片例如借助于印制导线串联地电连接或者并联地电连接。可行的是，半导体芯片的组或者各个半导体芯片可借助于印制导线彼此对地电激发。
[0021]根据至少一个实施方式，印制导线位于载体和半导体芯片之间的平面中。特别地，印制导线随后在载体的朝向半导体芯片的一侧上成形。印制导线能够至少局部地与囊封体和/或转换机构体直接连接并且至少局部地接触转换机构体和/或囊封体。
[0022]根据至少一个实施方式，半导体芯片具有电接触部位。电接触部位例如通过半导体芯片上的金属化部形成。半导体芯片的电接触部位能够位于半导体芯片的一侧上或者两侧上。半导体芯片的所有的电接触部位能够朝向载体或者也可以是背离载体并且与载体隔开、尤其是与转换机构体隔开。
[0023]根据至少一个实施方式，用于对各个半导体芯片通电的印制导线位于半导体芯片的背离载体的一侧上的平面中。换句话说，半导体芯片于是位于具有印制导线的平面和载体之间。
[0024]根据至少一个实施方式，至少局部地在电接触结构、尤其是印制导线和转换机构体之间存在镜。镜