单片的光电子半导体本体及其制造方法

专利名称：单片的光电子半导体本体及其制造方法
单片的光电子半导体本体及其制造方法本发明涉及一种单片的光电子半导体本体以及一种用于制造光电子半导体本体 的方法。在工作中发射电磁辐射的光电子半导体本体用于许多不同的照明应用中。这种半 导体本体尤其是当在小的空间上需要高的光产出时是适合的。使用具有高的光产出的光电 子半导体本体的例子在投影应用中并且也在汽车领域中能找到。在那里其尤其是应用在前 灯中。在这种照明应用中，除了高的光产出之外还应保证尽可能均勻的光发射。此外，光 电子半导体本体应以可缩放的方式实施，使得光强度以可变方式通过将各个发光的元件接 入或断开来缩放。就此而言，于是需要提供一种光电子半导体本体，该半导体本体相对于传统的照 明装置构建为具有在同时较高的激励灵活性的情况下的在光产出和发射特征方面改进的 效率。该任务通过根据独立权利要求的光电子半导体本体及其制造方法来解决。本发明 的改进方案和扩展方案分别是从属权利要求的主题，从属权利要求的公开内容通过引用明 确地结合到说明书中。在一个实施例中，光电子半导体本体包括半导体层序列，其划分成至少两个彼此 电绝缘的部分区段。半导体层序列具有第一主侧、第二主侧以及在每个部分区域中具有适 于产生电磁辐射的有源层。在该实施形式中，半导体层序列的第一主侧设置用于发射在有 源层中产生的电磁辐射。有源层在此情况下可以具有用于产生辐射的pn结、双异质结构、单量子阱结构 (SQW, single quantum well)或者多量子阱结构(MQW，multiquantum well)。术语“量子 阱结构”在此并未说明关于量子化维度方面的意义。其通常尤其包括量子槽、量子线、量子 面和量子点以及这些结构的任意组合。其维度因此可以包括从量子点的情况下的0维到量 子阱的情况下的3维。对于多量子阱结构的例子在出版物WO 01/39282、US5, 831，277、US 6，172，382和US 5，684，309中进行了描述，其公开内容通过引用结合于此。此外，光电子半导体本体还包括第一电接触部、第二电接触部以及至少一个第三 电接触部。相邻地设置在第二主侧上的第一线路平面接触被划分的半导体层序列的所述至 少两个部分区段的第一部分区段和第一电接触部。其因此建立了在所述至少两个部分区段 的第一部分区段与第一电接触部之间的连接。与第二主侧相邻设置的第二线路平面电接触 第二接触部以及所述至少两个部分区段的第二部分区段。最后，光电子半导体本体包括与 第二主侧相邻设置的第三线路平面。该线路平面将半导体层序列的第一和第二部分区段彼 此电连接用于产生电磁辐射并且还接触第三接触部。在所提出的实施形式中，因此除了至少三个接触部之外，在半导体本体的表面上 也设置有至少两个线路平面，其分别与接触部之一电连接。三个线路平面背离于半导体层 序列的第一主侧。此外，至少三个线路平面之一将第一部分区段和第二部分区段彼此连接 用于产生电磁辐射。由此，实现了在第一和第二部分区段的有源层之间的串联连接。两个
4部分区段的有源层因此通过第三线路平面彼此连接，使得它们形成串联连接。由此，实现的 是光电子半导体本体在工作中具有明显更小的电流并且其上降落更大的电压。根据所提出的原理的光电子半导体本体因此可以以电压驱动的方式在同时低电 流的情况下来馈电。由此例如可以通过相应的高电压源替代昂贵的驱动级以及大电流源， 该高电压源可以更容易地使用。通过附加的第三接触部(其与将两个部分区段连接的线路 平面接触)，还可以单独地激励相应的部分区段。光电子半导体本体的每个部分区段由此可 以单独地激励。同样通过形成的串联电路对两个部分区段的共同激励也是可能的。由此， 光电子半导体本体的光产出可以变化。此外，通过在背离第一主侧的侧上构建线路平面，在半导体层序列的第一主侧上 的发射特性并未显著改变，因为接触和输送不再必须通过该侧来引导。半导体层序列的各 个部分区段因此实现了均勻的发射特性。合乎目的的是，半导体本体单片地构建，即其仅仅包括一个本体，所有线路平面以 及有源层集成在该本体中，并且在其制造期间相继地实施。这允许在整个晶片上的大面积 的制造，包括在共同的衬底上构建有源层和线路平面。在一个扩展方案中，半导体本体是薄膜发光二极管芯片，尤其是其在其背侧上具 有支承衬底。在一个扩展方案中，不同的线路平面至少局部地设置在半导体层序列和支承 衬底之间。薄膜发光二极管芯片的特征在于如下特征的至少一个-在产生辐射的半导体层序列(该半导体层序列尤其是产生辐射的外延层序列) 的朝着支承元件、尤其是朝着支承衬底的主面上，施加或者构建有反射层，其将半导体层序 列中产生的电磁辐射的至少一部分反射回半导体层序列中；-薄膜发光二极管芯片具有支承元件，其中该支承元件并不是其上外延地生长有 半导体层序列的生长衬底，而是事后固定在半导体层序列上的单独的支承元件；-半导体层序列具有在20μ m或者更小的范围中的、尤其是在10 μ m或者更小的范 围中的厚度；-半导体层序列没有生长衬底。在此，“没有生长衬底”表示可能用于生长的生长 衬底被从半导体层序列去除或者至少被强烈地薄化。尤其是，其被薄化为使得其本身或者 与外延层序列一起单独并非自由支承的。强烈薄化的生长衬底的所保留的剩余物尤其是不 适于生长衬底的功能；以及-半导体层序列包含至少一个半导体层，其带有至少一个如下的面该面具有混 勻结构，该混勻结构在理想情况下导致光在半导体层序列中的近似各态历经的分布，也就 是说，其具有尽可能各态历经的随机散射特性。薄膜发光二极管芯片的基本原理例如在I. Schnitzer等人于1993年10月18日 所著的出版物Appl. Phys. Lett. 63(16)，第2174-2176页中进行了描述，其公开内容通过引 用结合于此。对于薄膜发光二极管芯片的例子在出版物EP 0905797A2和WO 02/13281A1 中进行了描述，其公开内容同样通过引用结合于此。薄膜发光二极管芯片良好地近似于朗伯特表面辐射器并且因此例如良好地适于 应用在前灯、例如车辆前灯中。在一个改进方案中，光电子半导体本体在其第一部分区段中包括第一部分层和通
5过有源层分离的第二部分层。所述至少一个第二部分区段同样具有第一部分层和通过有源 层分离的第二部分层。第三线路平面现在实施为使得其将第一部分区段的第一部分层和第 二部分区段的第二部分层彼此导电连接。因此，例如第一部分区段的η掺杂的部分层借助 第三线路平面与第二部分区段的P掺杂的部分层导电连接。由此，形成了两个有源部分层 构成的串联连接。为此目的，部分区段的至少一个可以包括穿通部，其穿过部分区段的有源层延伸 并且接触部分区段的朝着第一主侧的部分层。穿通部可以是圆柱形、圆形、以及沟形或者具 有每个任意几何形状。通过在部分区段内使用多个穿通部，可以实现在部分区段的朝着第 一主侧的部分层中的更好的横向电流分布。由此进一步改进了发射特征和光产出。在另一实施形式中，光电子半导体本体具有沟，其可以填充以绝缘材料。沟可以基 本上垂直于相应部分区段的有源层走向，并且将第一部分区段与所述至少一个第二部分区 段分离。沟的宽度可以在数微米的范围中。优选地，沟至少穿透相应的部分区段的有源层 的区域，在该区域中进行载流子复合并且由此产生电磁辐射。可替选地，沟可以垂直地穿过半导体层序列的大的区域延伸，并且由此将半导体 层序列也划分成相应的部分区段。在该实施形式中，使在各个部分区段之间的漏电流降低。 此外，沟也可以垂直地穿过相应线路平面至少之一并且将其分开。有利地，半导体层序列和光电子半导体本体的发射光的第一主侧没有电接触面。 以此方式减少了电接触部位对有源部分层在工作中发射的电磁辐射的一部分的遮挡或者 吸收。在本发明的另一扩展方案中，接触垫与半导体本体的第一主侧相邻地在发射辐射 的区域旁边实施。在该实施形式中，光电子半导体本体包括与所述至少两个部分区段电绝 缘的外部区域，其与所述至少两个部分区段的至少一个相邻地设置。在朝着第一主侧的侧 上，该外部区域具有由第一、第二和第三接触部构成的接触垫。接触垫与相应的线路平面电 连接。在另一扩展方案中，至少一个线路平面可以构建有导电的镜层，使得将有源层发 射的、朝着第二主侧方向的电磁辐射朝着第一主侧方向反射。由此进一步改进了发射特征。在另一改进方案中，在半导体层序列和各线路平面以及线路平面与半导体层序列 的相应的接触部之间至少局部地设置有镜层。该镜层可以是半导电的或也可以是电绝缘 的。在后一情况下，其可以具有多个开口，线路平面通过开口电接触在相应部分区段中的半 导体层序列。此外，镜层可以用作横向电流分布层，以便改进电流至半导体层序列的耦合输 入。例如，电流扩展层对此可以包括导电氧化物。此外，其可以构建为例如带有银的镜层并 且因此除了低的横向电阻之外也具有良好的反射特性。在一个改进方案中，半导体层序列的有源层通过多个彼此堆叠的有源部分层来形 成。例如，有源层可以包含双异质结构或者多量子阱。此外，可能的是，在半导体层序列的 每个部分区域中设置有不同的有源层。它们可以不同地掺杂，也可以包含不同的材料，使得 在载流子复合时发射不同波长的电磁辐射。为了改进发射，可以将半导体层序列的第一主面结构化。同样可能的是，将附加的 转换材料施加到第一主侧上，以便将所发射的电磁辐射转换成不同波长的第二辐射。这允 许实现不同的色觉并且也可以产生混合颜色。在相应合适的转换材料以及对于半导体层序
6列的两个部分区段的有源层的确定的材料系的情况下，由此可以产生例如用于前灯或投影 系统的白光。半导体层序列的各个部分区段可以平面地并排设置。例如，它们可以方形地设置 成X-X矩阵的形状，其中X是大于2的自然数。可替选地，它们也可以用于形成矩形结构， 例如χ-y矩阵的形状。在两种情况下，矩阵由在共同的支承体上的作为半导体本体的部分 区段制成。通过带有在半导体层序列的背离第一主侧的侧上的不同的线路平面的接触平面 的激励并不限于两个部分区段。通过相应的附加线路平面，可以在形成串联连接的情况下 将多个部分区段彼此连接。通过接触各个线路平面的附加的接触元件，可以选择性地激励 半导体层序列的各个部分区段。该布线可以在外部通过微处理器或者其他集成电路来进 行。这也可以包括所需的驱动级。本发明的另一方面涉及一种用于制造光电子半导体本体的方法。在该方法中，在 生长衬底上进行半导体层序列的外延生长，其中半导体层序列具有适于产生电磁辐射的有 源层。此外，半导体层序列的第一部分区段和至少一个与其电绝缘的第二部分区域被限定， 它们设置用于朝着第一主侧的方向发射电磁辐射。第一线路平面与半导体层序列的背离第一主侧的侧相邻地构建，使得其接触第一 部分区段的有源层。第二线路平面与半导体层序列的背离第一主侧的侧相邻地构建并且接 触至少一个第二部分区段的有源层。最后，在半导体层序列的背离第一主侧的侧上实施至少一个第三线路平面。该线 路平面接触第一部分区段的有源层和至少一个第二部分区段的有源层。此外，第三线路平 面在形成串联连接的情况下将至少两个部分区段的有源层彼此耦合。此外，根据本发明的方法包括构建第一接触部位(其与第一线路平面连接)，构建 第二接触部位(其与第二线路平面连接)，以及构建至少一个第三接触部位(其与至少一个 第三线路平面连接)。在所提出的方法中，形成半导体本体，其两个部分区段分别具有有源层，用于产生 和发射电磁辐射。通过设置在半导体层序列的第一主侧的对置侧上的线路平面(它们共同 形成接触平面)，实现了相应的部分区段的有源层的单独激励。与第三接触部位以及半导体 层序列的两个部分区段的有源层连接的附加的第三线路平面允许通过借助第三线路平面 构建的两个部分区段的串联连接来选择性地分别激励部分区段以及共同地激励两个部分 区段。在本发明的一个扩展方案中，除了半导体层序列之外还附加地将镜层生长在半导 体层序列的背离第一主侧的侧上。镜层可以通过电绝缘的材料形成。可替选地，导电的材 料也是可能的，其中在镜层和半导体层序列之间可以存在用于电去耦合的附加的绝缘中间 层。在一个可替选的扩展方案中，三个线路平面中的至少一个构建有相应的镜层。例如，线 路平面可以通过强烈反射的金属来形成。在根据本发明的方法的一个实施形式中，镜层附加地或者以线路平面的形式施加 在半导体层序列的背离第一主侧的侧上，使得在背离第一主侧的侧上的半导体层序列的面 的至少50%被镜面化。这种镜层的反射能力可以在50%以上并且尤其是在50%到99. 9% 的范围中。
该外延生长在提供生长衬底之后通过生长具有第一掺杂类型的第一部分层并且 接着在第一部分层上生长具有第二掺杂类型的第二部分层来进行。通过不同的掺杂类型， 在第一部分层和第二部分层之间构建有源层，其是所谓的pn结。在此，第一部分层即与第 一主侧相邻的部分层可以是η掺杂的部分层。背离第一主侧的第二部分层相应地ρ掺杂。附加地，在部分层上可以形成电流扩展层，其具有特别低的横向面电阻。合乎目的 地，线路平面接触电流扩展层。例如，在将第二部分层生长在第一部分层之后，在第二部分 层上形成电流扩展层，其至少通过至少一个第三线路平面来接触。在根据本发明的方法的 一个构型中，电流扩展层可以附加地借助镜面化的层形成。第一、第二和第三线路平面通过相应的绝缘层彼此分离。在一个实施例中，该方法 包括生长线路平面并且接着将其结构化。接着，将绝缘材料施加到结构化的线路平面上。同 样，绝缘材料也可以生长在半导体层序列上并且接着结构化绝缘材料。为了构建第一、第二和至少一个第三线路平面中的至少之一，在所提出的方法的 一个改进方案中，构建有穿过在至少两个部分区段的至少之一中的有源层的穿通部。穿通 部的侧壁设置有绝缘材料，以便避免短路。这例如可以通过将绝缘材料沉积到穿通部的侧 壁上来进行。可替选地，穿通部的侧壁也可以被氧化，以便形成绝缘层。接着，穿通部填充 以导电材料，该导电材料接触线路平面的至少之一。以此方式，通过线路平面接触朝着半导 体层序列的第一主侧的部分层。在另一构型中，随着构建与接触部位相连的线路平面同时地进行第一、第二和第 三接触部位的制造。换言之，因此限定了半导体本体的部分区域，并且在其上构建线路平 面。该部分区域稍后形成相应的接触部位并且与线路平面直接连接。对于该方法的另外的扩展方案，在生长衬底上外延生长之后尤其是在通过各个线 路平面制造接触平面之后去除生长衬底。接着，将这样制造的层序列施加在支承衬底上。这 进行为使得支承衬底与第三线路平面相邻。去除生长衬底可以通过借助激光相应地“爆裂” 来实现。在该方法的一个改进方案中，事先限定的部分区段通过选择性的分离工艺彼此电 绝缘。例如，分离工艺可以借助化学刻蚀工艺来执行，其中沿着相应事先限定的部分区段的 分离线来刻蚀沟。这些沟穿过层序列直到接触平面。该沟可以以电绝缘的材料填充，然而 也可以裸露。以下借助不同的扩展方案和实施形式参照附图详细地阐述了本发明。其中

图1示出了根据所提出的原理的光电子半导体本体的第一实施形式的示意性俯 视图，图2Α示出了沿着I-I'平面的根据图1的实施形式的示意性横截面图，图2Β示出了沿着II-II'平面的根据图1的实施形式的示意性横截面图，图3示出了具有设置在背侧的接触部的第二实施形式的横截面，图4Α，4Β示出了根据第三实施形式的示意性截面图，图4C、4D示出了在图4A、4B中的实施形式的等效电路图，图4E、4F示出了对应于图4A至4D的截面图和等效电路图的划分成多个部分区段 的光电子半导体本体的俯视图，图5示出了在照明应用中的光电子半导体本体的一个实施形式，
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图6示出了第四实施形式的横截面图，图7A至7J示出了在制造过程的不同阶段中的光电子半导体本体的第一实施形式 的示意性俯视图。在不同的实施例中，所示的元件的大小关系基本上不能视为是合乎比例的。各个 元件例如层为更好的理解和/或更好的可示性而会夸大地或者夸厚地示出。作用相同和/ 或功能相同的器件在附图内设置有相同附图标记。所有在此所示的实施形式以及制造方法涉及单片的器件。术语“单片”理解为一 种制造，其中各个层并非彼此分离地制造。更确切地说，与层满足何种功能无关地在前面的 工艺步骤中制造的层上进行沉积或构建层。由此，在相继的步骤中根据所提出的原理制造 半导体本体。图5示出了单片的光电子半导体本体的一个实施例，该半导体本体具有在作为前 灯的应用中设置成2 · χ矩阵的各个部分区段。所示的是2 · 4的完整的区段，其中该布置 朝右边继续。在该实施形式中，不同的部分区段901、902基本上方形地设置。部分区段在 该电路工作中分别发射一个波长的电磁辐射。通过激励各个部分区段901、902可以选择性 地控制照明系统的辐射强度。为了接触，每个部分区段901和902包含角形的外边缘930，其设置有接触垫。接 触垫通过接合线920或925引导至外部区域910中的接触板。接合线920和925将相应的 接触板通过接触垫与相应的部分区段901、902的η掺杂的层连接。为了接触两个部分区段 901,902的ρ掺杂的部分区域，在外部区域910中设置有两个另外的接触板926、927。由于在部分区段901或902的相应角中的接触部位930，在该装置工作中在这些部 位中产生遮挡。由此形成了各个部分区段的不均勻的光发射特征，其也可以在强烈的发光 强度的情况下明显地看到。当接合线920不是如在此所示地在绝缘的区域中沿着两个部分 区段之间引导，而是这些区段交叠时，遮挡效应更为明显地出现。同时，在所示的实施形式 中通过比较大的中间区域降低了光效率和产出或者增大了对于实施所需的位置。图1相应地示出了根据所提出的原理的一个实施形式的示意性俯视图。在该实施 例中，带有四个发射光的部分区段10至13的单片光电子半导体本体以2 ·2矩阵形式地实 施。各个部分区段在电学上通过绝缘沟20、20'彼此分离以及与外部区域15分离。相对于 根据图5的实施形式，绝缘部20，20'可以具有明显更小的厚度，因为其仅仅用于将部分区 段10至13电绝缘。然而，接触元件或者接合线不再在其上被引导。在外部区域15中设置总共5个接触垫40至44。它们如还将进一步阐述的那样与 各个部分区段10至13的有源层之下的各个线路平面连接并且对其接触。线路平面又建立 对各个部分区段10至13的半导体层序列的相应ρ层和η层的电接触。它们一起形成接触 平面，其背离发射光的主侧。在各个部分层10至13中的半导体层序列基于半导体材料系，其根据应用可以不 同地掺杂。例如，可以使用所谓的III/V化合物半导体或者II/VI化合物半导体。半导体 层序列2的厚度在此可以在5 μ m到7 μ m之间。III/V化合物半导体材料具有来自第三主族的至少一种元素，例如Al、Ga、In,以 及来自第五主族的至少一种元素，例如B、N、P、As。尤其是，术语“III/V化合物半导体材 料”包括二元、三元或四元化合物的族，其包含来自第三主族的至少一种元素和来自第五
9主族的至少一种元素，尤其是氮化物化合物半导体和磷化物化合物半导体。这种二元、三 元或者四元化合物例如还可以具有一种或多种掺杂材料以及附加的组成部分。例如氮化 物-III-化合物半导体材料和磷化物-III-化合物半导体材料例如GaN、GaAs和InGaAlP 属于III/V化合物半导体材料。同样，AlGaN/GaN材料系属于上述化合物半导体。相应地，II/VI化合物半导体材料具有来自第二主族的至少一种元素，例如Be、 Mg、Ca、Sr和来自第六主族的至少一种元素譬如0、S、Se。尤其是，术语“ II/VI化合物半导 体材料”包括二元、三元或四元化合物，其包含来自第二主族的至少一种元素和来自第六主 族的至少一种元素。这种二元、三元或者四元化合物例如还可以具有一种或多种掺杂材料 以及附加的组成部分。例如ZnO、ZnMgO、CdS、CnCdS、MgBeO属于II/VI化合物半导体材料。根据所希望的波长或者所希望的波长谱，可以提供上述化合物中的一种或者多种 作为用于光电子器件的材料系。为了接触，第一接触垫40通过下面和在此通过连接V表示的线路平面与朝着部分 区段11的主侧的部分层连接。这通过接触垫40至穿通孔D的连接V来示意性表示。接触 垫40因此通过线路平面接触部分区段11的层序列的n掺杂的部分层。相应地，接触垫41 通过另外的线路平面在此示意性地通过连接V'与部分区段11的有源层序列的p掺杂的部 分层导电连接。此外，该线路平面也设计为通过另外的穿通部D'接触第二部分区段10的 有源层序列的n掺杂的部分层。这示意性地通过连接V'来表示，该连接将第一部分区段11的有源层序列的p掺 杂的区域通过穿通部D'与第二部分区段10的层序列的n掺杂的区域接触。由此，在接触 面41之间的电连接通过在部分区域11下方的线路平面接触到第二部分区段10的有源层 序列的n掺杂的部分层。最后，设置有另外的第三线路平面V"，其与接触平面的其他线路平面绝缘并且在 部分区段11的有源层序列下方延伸。第三线路平面将部分区段10的有源层序列的p掺杂 的部分层与接触垫42连接。因此，也为第二部分区域10提供了对两个部分层的接触，即一 方面通过线路平面V'与接触垫41接触，以及通过另一线路平面V"与接触垫42接触。此外，接触垫42通过穿通部与部分区段13的有源层序列的n掺杂的部分层连接。 换言之，线路平面V"接触光电子器件的部分区段10的p掺杂的部分层以及光电子器件的 部分区段13的n掺杂的部分层。接触垫43通过线路平面所示地经由连接VIV与部分区段 13的p掺杂的部分层导电连接。同时，它通过线路平面与在光电子器件的部分区域12中 的穿通部D"接触。穿通部D"将部分区段12的有源层序列的n掺杂的部分层一方面与接 触面43连接并且另一方面通过线路平面与部分区段13的有源层序列的p掺杂的部分层连 接。最后的线路平面示意性示出地通过连接VIII将第五接触面44与部分区段12的有源 层序列的P掺杂的部分层连接。在此实施例中，接触平面的线路平面交叠地设置。它们根 据应用也可以彼此并排地走向。通过线路平面彼此间的布置以及各个接触面及其至相应的线路平面的连接，可以 选择性地激励光电子半导体器件1的每个单独的部分区段10至13。同样，在形成串联连 接的情况下，每两个部分区段可以结合。同样，所有四个部分区段可以在形成串联连接的情 况下在工作中被使用。下表说明了根据所希望的工作方式在光电子半导体本体工作中的布 线。
要观察的区段要连接的接触部10施加n的41，施加p的4211施加n的40，施加p的4112施加n的43，施加p的4413施加n的42，施加p的4310 和 11施加n的40，施加p的4212 和 13施加n的42，施加p的4410 至 13施加n的40，施加p的44在该表中，“n”或者“p”表示输送给接触垫的相应的载流子类型。部分区段的有 源层中的pn结在工作中分别切换至导通方向。由此得到了，接触垫40(如果有的话)始终 施加以“n”，接触垫44始终施加以“p”。另外的三个接触垫41至43根据所希望的工作方 式施加以正电势或者施加以负电势并且输送相应的载流子。例如，当在工作中仅仅部分区段10要进行辐射发射时，则负电势施加到接触垫41 上(对应于输送电子)而将相应的正电势施加到接触垫42上(对应于输送空穴)，以便将 部分区段的二极管切换至导通方向。通过线路平面(通过连接VI示出)和在部分区域10 中存在的穿通部D‘，将相应的载流子经第二线路平面VII输送给n掺杂的部分层和p掺杂 的部分层。由于部分区域11同时通过接触垫41切换到截止方向上，所以该部分区域不发 射辐射。而当部分区段10和11被选择用于产生辐射时，根据上表必须将接触垫40和42 通向相应的电压。通过这里所提出的布线平面，因此可以每个部分区段单独地但也可以两个区段成 对地彼此串联连接。就此而言，图2A示出了沿着轴线I-I'的横截面图。光电子半导体本体的半导体 层序列25通过沟20划分成两个部分区段10以及11。半导体层序列25包括在部分区段 10中的朝向发射面的n掺杂的第一部分层21或者在部分区段11中的21'。另外的部分 层23、23'被p掺杂并且施加在背离发射面的侧上。通过n掺杂的和p掺杂的部分层21、 21'和23的共同布置，在部分区域10中形成第一 pn结22，而在部分区域11中形成第二 pn结22'。在pn结中在发射电磁辐射的情况下进行载流子复合。通过穿过层序列25的 所有部分层的进行分离的沟20，产生两个部分区段10和11的电绝缘并且同时避免了在两 个部分区段之间的漏电流。为了接触第一部分区段10的n掺杂的部分层21，设置有穿通部400，其侧壁403 用电学材料绝缘。由此，在工作中避免了短路并且避免了电流流入P掺杂的层23。穿通部 400从p掺杂的部分层23穿过pn结22达到n掺杂的部分层21。此外，穿通部400与第一
11线路平面405导电接触。第一线路平面与p掺杂的部分层23以及与另外的线路平面通过 绝缘层505或506分离。线路平面405如所示的那样引导至接触垫40，其在当前情况下通 过线路平面405的部分区域本身形成。因此，接触垫40通过穿通部400和线路平面405接 触第一部分区段10的n掺杂的部分层21。在所示的实施例中，第二线路平面415设置在第一线路平面之下并且从这里不再 示出的接触垫41 一方面延伸至p掺杂的层23的接触部410并且还延伸至另外的穿通部 412。接触垫是第二部分区段11的一部分并且接触第二部分区段11的层序列25的n掺 杂的部分层21'。在此，侧壁也通过附加的绝缘的层413与有源层22'或p掺杂的部分 层23'分离。在第二线路平面415之下并且为了与第三线路平面425分离，设置有绝缘层 501。同时，绝缘部502同样也将该线路平面与第二部分区段11的p掺杂的部分层23'分 罔。第三线路平面425最后将根据图1的俯视图的第三接触部42和部分区段11的p 掺杂的部分层通过馈电装置420连接。第三线路平面施加在绝缘衬底32上并且被绝缘部 503和501包围。对于各个部分区段10或11的装置的工作，在下面阐述了电流流动。在仅仅驱动 部分区段10的情况下切换到导通方向，接触垫40并且由此第一线路平面405以及第二线 路平面415被施加相应的电势。电流于是通过n掺杂的部分层22流入p掺杂的部分层23， 其中所输送的载流子在第一部分区段的pn结22中复合并且发射电磁辐射。为了仅仅驱动第二部分区段11，在那里存在的pn结22 ‘切换至导通方向。这通过 经相应的接触垫在第二线路平面415或者第三线路平面425中输送相应的载流子来进行。 在该工作方式的情况下，第一部分区段10的pn结22切换至截止方向并且由此抑制了在该 部分区域中的载流子复合。在同时驱动两个部分区段的情况下，通过接触垫40将电压施加 到第一线路平面405上并且通过这里未示出的接触垫42将电压施加到第三线路平面425， 使得两个部分区段的两个pn结22和22'切换至导通方向。于是电流通过第一线路平面 405和穿通部400流动到第一 pn结22中，从那里出来通过馈电装置410和第二线路平面 415流动到第二部分区段11的第二穿通部412中。两个部分区段的pn结于是切换至导通 方向。在图2B中示出了沿着根据图1的实施形式的轴线II-II'的横截面。两个部分 区段10和12又通过绝缘的沟20'分离，由此避免了电流流动。此外，填充绝缘材料的沟 20'达到附加的绝缘层502中，其将各个线路平面彼此分离。部分区段10和12因此被由 沟20'和绝缘的侧区域30形成的绝缘层包围。在图2B中在截面图中仅仅示出了第二线路平面415和第三线路平面425。如在根 据图2A的横截面图中可看到的第一线路平面405在根据图2B的截面图中并不存在，因为 线路平面405并不直接接触区段10和12。区域10的n掺杂的部分层21'或者部分区段 12的21"通过用于两个部分区段的多个穿通部412或者412"来实现。它们分别通过沟来 形成，在沟的侧壁上沉积有绝缘材料413。绝缘材料防止了短路并且防止了与部分区段10 的P掺杂的部分层23'或者部分区段12的23"的电接触。在线路平面分布在其中的接触 平面25'中，穿通部组合成共同的线路平面415和415"。部分区段10的p掺杂的部分层 23通过馈电装置420连接到第三线路平面425。相应地，穿通引导部420〃将部分区段12
12的部分层23"与第三线路平面425〃接触。根据图1的实施形式，部分区段12的第三线路 平面425"被引导至接触垫44，而部分区段12的第二线路平面415"被引导至接触垫43。图3示出了另一实施形式的横截面图。在该实施形式中，所有接触元件同样设置 在背侧。半导体层序列320又包含n掺杂的第一层321，在该n掺杂的层上相邻地施加p掺 杂的层323。在边界面上如所示地形成pn结322。例如可以使用InGaN/GaN作为层序列的材料系，其发射谱在可见的蓝色光的范围 中。通过所设置的、所施加的结构化部325改进了光电子半导体本体的发射特征。此外，可 以设置转换装置并且施加在结构化部325的表面上。由此，所发射的蓝色光的一部分转换 成另一波长的光，由此可以实现产生白色光。在半导体层序列320的第二层323的背离结构化部325的侧上设置有导电的反射 的连接层330。该连接层同时也用作横向的电流扩展层用于将载流子耦合输入。层330通 过多个引线元件350接触，这些引线元件借助穿通部351与设置在背侧上的接触垫390连接。此外，设置有穿通部346，其填充以导电的材料361。穿通部346从半导体本体的 背侧穿过所有层延伸至半导体层序列320的层321。其侧壁基本上借助绝缘材料364几乎 完全包围，以便避免短路，例如避免与连接层330的短路。此外，接触部361与光电子半导 体本体的背侧上的接触垫391以及与导电材料层350'连接。材料层350'接触半导体本 体的左边部分区段的连接层330'。左边部分区段与右边部分区段通过绝缘沟342完全电 分离。沟342填充以绝缘材料，该绝缘材料也填满各个穿通引导部350'和350之间的间 隙。绝缘材料同时可以用作替代支承体380的支承衬底。导电层350'与层330' —起形成光电子半导体本体的左边部分区段的第一连接 层并且接触半导体层序列320的层323。相应地，也在半导体本体的左边部分区域中构建 沟361'，该沟的侧壁346a设置有绝缘材料。沟361'的材料接触位于背侧的表面上的接 触垫390'。在外部，接触垫390'以及391在背侧上与开关S1耦合，该开关引导至第一端子 A1。接触部390与第二端子A2耦合。在该装置工作中，现在根据开关状态S1现在仅仅对 光电子器件的右边部分供电或者对光电子器件的两个部分供电。在所示的开关状态下，在 半导体装置工作中，电流通过接触部390和馈电装置350流入半导体本体的右边区域的半 导体层序列中。载流子在那里的pn结中复合并且发射光。在工作期间，在所示的开关状态 中半导体本体的左边部分区域被关断。现在，如果端子A1与接触垫390'通过开关S1耦合，则电流通过在半导体本体的 右边部分区域中的沟361'流入在半导体本体的左边部分区域中的由层350'和330'构 成的第一连接层中。由此，两个半导体层序列及包含其中的pn结串联连接。根据各个连接层和其在相应的部分区段中的接触部的构型，这样可以实现光电子 半导体本体的各个部分区段的外部并联连接或串联连接。该布线可以在外部通过集成电路来实现。该集成电路激励开关并且还包括不同的 驱动级，以便为各个区段以及为串联连接中的区段供给足够的电压和电流。在此要考虑的 是，在串联连接的情况下，在这些区段上总体上降落的电压相应地变得更大，而经此流动的 电流基本上保持不变。就此而言，电压驱动的驱动级于是是必要的。同样，可以改变通过各
13个部分区段的电流，以便实现不同的光产出。图6示出了带有结构化的层序列600的半导体本体的另一实施形式的横截面图， 该层序列设置在接触平面601上。层序列600在其第一主侧上设置有结构化部605并且通过沟606和分开层序列的 绝缘材料630划分成两个部分区段。每个部分区段因此包括由n掺杂的第一部分层610以 及设置在其下面的P掺杂的第二部分层620构成的层序列。通过不同的掺杂形成了 pn结 615，该pn结是用于产生和发射电磁辐射的有源层。在其下设置有接触平面601，其具有不同的线路平面。这些线路平面接触两个部分 区段的各个部分层610或620。在此，接触垫如所示地不仅设置在半导体层序列600的右侧 而且设置在左侧上。具体而言，第一接触部661在朝着主侧的侧上与层序列的第一部分区 域相邻地构建。在工作中形成该装置的P接触部的接触垫661与第一线路平面660导电连接。线路平面660接触层序列的第一部分区段691的p掺杂的部分层620。这通过设 置在P掺杂的部分层620下面的导电的镜层662来实现。在p掺杂的部分层620下面的镜 层662与第二部分区段692的相应的镜层662通过绝缘材料630导电地分离。镜层662将 pn结615中产生的光朝着第一主侧的方向反射并且由此朝着结构化部605反射。在半导体本体的上侧上的另一导电的接触垫671通过绝缘材料630与第一接触部 661分离并且与第二线路平面670连接。第二接触部671的材料可以包括与线路平面670 相同的材料。线路平面670通过多个穿通部640接触第一部分区段691的n掺杂的部分层 610。这些穿通部通过将第一线路平面660与第二线路平面670分离的绝缘层630、线路平 面660、镜层662、p掺杂的部分层620以及pn结伸入第一部分区段691的部分层610中。 它们填充以导电的材料并且将外壁642相应地绝缘。由此，避免了在第二线路平面和第一 线路平面660或者镜层或p掺杂的部分层620之间的短路。此外，第二线路平面670通过镜层662也接触第二部分区段692的p掺杂的部分 层620。相应地，第一部分区段691的n掺杂的部分层610与第二部分区段692的p掺杂的 部分层620电接触。两个部分区段691和692的pn结615因此形成串联连接。最后，与第二部分区域692相邻地设置有第三接触部651。该接触部通过第三线路 平面650和沟645接触第二部分区段692的n掺杂的部分层610。在此，穿通部645也通过 第二线路平面670、镜层662、p掺杂的部分层620和pn结615伸入到第二部分区段的n掺 杂的部分层610。绝缘侧壁642防止了第三线路平面650和第二线路平面670或镜层662 之间的短路。最后，第三线路平面651通过绝缘层630'与支承衬底680分离。在该装置工作中，接触部671与第二线路平面670相连地实施为可切换的接触部。 这意味着，根据所希望的工作方式输送正载流子或者负载流子。相应地，该接触部根据要激 励第一部分区段还是第二部分区段来将相应的pn结切换至导通方向或截止方向。当例如 仅仅第一部分区段691要被驱动时，则接触垫661用作p接触部，可切换的接触部671作为 n接触部。在仅仅第二部分区段692工作时，第三接触垫651作为n接触部被驱动，该可切换 的接触部671作为p接触部。在该工作方式中，于是第一部分区段691的pn结615被切换 至截止方 。在两个部分区段以串联连接的形式工作时，结合垫661或651用作p接触部或者n接触部。可切换的接触部671在该工作情况下并未被连接。图7A至71示出了在其制造的不同阶段中的单片的半导体本体的俯视图。参照这 些视图要阐述尤其是带有不同的线路平面和设置在其间的绝缘材料的接触平面的制造过程。在图71A中示出了半导体本体700的俯视图，该半导体本体在此划分成四个部分 区段701至704。在每个部分区段之间限定了沟，以便在稍后的工艺步骤中将每个单独的部 分区段701至704的半导体层序列彼此电绝缘。此外，限定了在每个部分区段中为n掺杂 的部分层设置的孔701'。接着，根据图7B将p掺杂的部分层施加在半导体本体和部分区段701至704上， 其中在稍后的至n掺杂的部分层的穿通部的区域中设置有凹处704"。此外，设置有外部区 域746，在该外部区域上设置有稍后的接触垫。在第一部分区段701和第四部分区段704之间与第一部分区段701相邻地设置有 另外的部分区域711'。相应的也适用于在第二部分区段702和第三部分区段703之间的 部分区域713'以及在部分区段704和部分区段703之间的与部分区段704相邻的部分区 域 714'。根据图7C，现在将不同部分区段701至704中的线路平面沉积到p掺杂的部分层 上。线路平面用于P接触增强并且同时如所示地将稍后的连接垫的一些耦合到相应的区段 上。具体而言，接触增强的外部区域形成第一接触板741，其通过相应的线路平面与第 一部分区域701的p掺杂的部分层连接。如可看到的那样，在半导体本体的部分区域701 和704之间相邻的部分区域711'还被线路平面覆盖。部分区段701之上的线路平面因此 不再矩形地构建在区段701的区域中，而是覆盖第一部分区段701和附加的相邻的部分区 域 711。以相应的方式也在第四部分区段704上沉积线路平面，该线路平面与附加的相邻 的外部区域714'交叠。相应地，在该区域中形成附加的部分区域714。同样的也适用于附 加的限定的部分区域713，其与线路平面一起在区段703的p掺杂的部分层上。最终，最后的p接触增强和线路平面设置在部分区段702上。接触增强702'还与 接触板744导电接触，该接触板由此接触区段702的p掺杂的部分层。此外，三个附加的接 触区域740、742和743被限定并且设置有金属化物。在各个接触区域740至743之间设置 有绝缘的中间区域。此外，在各个区段中增强每个P接触部的线路平面包含在稍后的穿通 部的区域中的凹处704a。接着，绝缘层施加在层序列和各个段的第一线路平面上。图7D示出了接下来的加工步骤，其中绝缘材料在穿通的区域中被敞开。由此得到 的穿通部704b能够实现相应的区段的n掺杂的部分层的稍后的接触。此外，在事先定义的 接触区域上的部分区域被敞开并且露出在其下的金属化物用以形成接触面740b和743b。 同样，从绝缘材料中刻蚀窄的沟711b、714b和713b并且露出其下的部分区域711、714和 713。在图7E中最后示出了在施加第二线路平面之后的半导体本体。这可以通过将金 属化物沉积在层序列上并且接着进行结构化来实现。在每个部分区段701至704上施加相应导电的层731、732、733和734。具体而言，第一部分区段701的线路平面731还在区域 740a中向外引出，使得其接触在其下的区域740b中的接触金属化物。此外，线路平面734 在部分区域724中的第四部分区段704上生长超过部分区段704，使得其与在其下的并且在 前面的图中示出的穿通部711b交叠，并且因此接触在沟711b中露出的p接触层。以同样的方式也将第三部分区段703上的线路平面733在部分区域723中生长到 在其下的沟714b上。相应地，在部分区段702上的线路平面732与部分区域722中的穿通 部713b交叠并且此外在区域743a中与其下的接触金属化物743b交叠。因此，限定了 n接触布线并且同时引出至相应的接触垫上。换言之，线路平面732 一方面接触部分区段702的n掺杂的部分层，并且同时通过沟713b接触部分区段703的p 掺杂的部分层。相应地，部分区段703的线路平面733通过在前面的附图所示的穿通部接 触部分区段703的n掺杂的部分层，并且还通过沟714b接触部分区段704的p掺杂的部分 层。部分区段704的线路平面734通过相应的穿通部接触区段704的n掺杂的部分层，并 且通过沟711b接触部分区段701的p掺杂的部分层。在图7F中最后限定了中央的接触垫742a以及独立的第三线路平面743。对此，在 前面的工艺步骤中制造的、部分区段701至704的线路平面731至734上生长有绝缘层。合 乎目的地，绝缘层生长在半导体本体的整个面上。以便均衡可能存在的台阶。在所生长的绝 缘层中在区域742a中限定了中央的接触垫，而在区域743中限定了相应的穿通部。接着， 在这些区域中的绝缘材料被去除，使得一方面在区域742a中露出在其下的接触垫742的金 属化层。在区域743中，形成穿过绝缘层的穿通部，该穿通部露出在其下的第三区段703的 线路平面733。根据图7G，现在在另外的线路平面753上的绝缘层上，接触区域742c通过穿通部 743接触第三部分区段703的第二线路平面733。如这里所示，第三线路平面753平面地作 为金属化物来施加。当要避免由于生长期间不同的布线层引起的台阶时，这是特别合乎目 的的。可替选地，第三线路平面753也可以实施为单引线。接着，半导体本体的层序列和第三线路平面被绝缘层平面地覆盖，以便形成均勻 的背侧并且补偿可能存在的台阶。此后，根据图7H通过所谓的激光剥离工艺来去除存在的 生长衬底。这通过激光的射入来进行，其中生长衬底从目前制成的层序列去除。该层序列 现在用其背侧施加到支承衬底上，使得图7G中所绘的线路平面与支承衬底相邻。也可以使 用湿化学方法来去除生长衬底。图7H现在示出了所生长的层序列的第一主侧的俯视图，在稍后的工作中要进行 电磁辐射的发射。在另一步骤中，图7A中所限定的中间区域作为沟来刻蚀，使得半导体本 体705的各个部分区段701至704彼此电绝缘。沟深度因此至少通过层序列的有源层以及 两个n掺杂的和P掺杂的部分层。而带有各个印制导线的接触平面并未被沟分开，因为否 则在前面的工艺步骤中建立的各个区段的串联连接中断。在根据图71的最后的工艺步骤中，现在从前侧将半导体本体705的接触垫740至 744露出。图7J最后在示意图中示出了关于各个平版印刷步骤的总体视图。明显可看到的 是不同的接触平面尤其是中央的接触板742的接触平面，其将部分区段703与接触板742 连接。通过区段703、704和701的相应的部分区域实现了由全部四个区段构成的串联连接，并且由此实现了电压驱动的发射光的半导体器件。通过在与发射对置的侧上的布线，防止 了上侧的遮挡并且使光产出最大化。同时，可以通过选择性的激励来驱动半导体本体的各 个部分区段。在此所示的实施形式并不限于2-2矩阵。更确切地说，可以将半导体本体的任意 数目的各个区段在形成串联连接或者并联连接的情况下进行彼此组合。在背离发射侧的接 触平面中的不同的线路平面根据应用情况允许各个部分区段的合适布线。将区段串联耦合 的可能性降低了通过半导体本体的各个区段的电流，使得可以使用简单的驱动器件。根据所希望的布线，可以在由各个在工作中产生电磁辐射的光电子半导体本体的 部分区段构成的矩阵中实现不同实施形式。在此，各个部分区段可以作为共同的层序列来 制成。在制成之后，它们通过绝缘沟分离成部分区段。通过施加在背离主侧的带有各线路 平面的接触平面上，可以实现各个部分区段的任意的布线。就此而言，图4A至4F示出了根 据所提出的原理的另一实施形式的示意图。图4A示出了沿着图4E中所示的方向通过光电子半导体本体的截面图。接触分别 在边缘区域中通过接触元件40或411来进行。接触元件40与穿通部446导电地连接，这 些穿通部接触半导体层序列20的部分层21。在两个不同掺杂的部分层21和23之间形成 了 pn结22，在工作中注入的载流子在该pn结中复合并且发射电磁辐射。在层23上还设置 有横向的电流分布层462，其具有与半导体本体的第二部分区段的接触层411相同的材料。第二连接层460接触光电子半导体本体的右边的部分区段的电流分布层462，并 且形成在光电子半导体本体的左边的部分区段中的半导体层序列的层21'的穿通接触部。 相应地，第二连接层410与半导体层序列20'的第二层23'连接。在光电子半导体本体的左边的和右边的部分区段之间如在截面图4A以及图4E的 俯视图中所示地设置有绝缘沟。由此，部分区段彼此电分离。在根据图4C的等效电路图中， 因此分别两个二极管串联连接。二极管效应在此由所示的半导体层序列20或20'的pn结 得到。图4B示出了一个可替选的扩展方案，其中代替单pn结设置有多个pn结。这些结 如两个相继连接的二极管起作用，如从根据图4D的等效电路图中得到的那样。根据图4B的截面的视图沿着如在图4F中所示的轴线I进行。在该实施例中，光 电子半导体本体划分成四个部分区段，它们分别被沟442绝缘地分离。不同的连接层40、 41U460和450分别接触不同的部分区段的半导体层序列和位于其中的pn结。连接层40、 411、450至470在此构建为使得它们如根据图4D的等效电路图所说明的那样对四个部分区 段布线。由此在根据所提出的原理的光电子半导体本体中实现了由四个分别两个相继连 接的二极管构成的串联连接。在该装置的工作中，因此需要较高的工作电压。通过灵巧地 组合外延层中的串联连接，可以使用昂贵的驱动级和大电流源，因为功率现在以电压驱动 的方式在低电流的情况下馈送到光电子半导体本体中。此外，通过避免吸收性的接触部而 得到了优化的面利用，因为所有产生光的组成部分可以以节约电流的方式实现在各个半导 体本体上。此外，也可以仅仅借助顶接触和导电的支承体实现芯片的串联连接。
权利要求
一种单片的光电子半导体本体，包括 半导体层序列，其被划分成至少两个彼此电绝缘的部分区段，并且具有第一主侧和第二主侧，其中每个部分区域中的半导体层序列具有适于产生电磁辐射的有源层；以及 其中所述半导体层序列的第一主侧被设计用于发射在有源层中产生的电磁辐射； 第一接触垫、第二接触垫和至少一个第三接触垫， 与第二主侧相邻设置的第一线路平面，所述第一线路平面与所述至少两个部分区段中的第一部分区段以及所述第一接触垫电接触， 与第二主侧相邻设置的第二线路平面，所述第二线路平面与所述至少两个部分区段中的第二部分区段以及所述第二接触垫电接触， 与第二主侧相邻设置的第三线路平面，所述第三线路平面将第一部分区段和第二部分区段彼此电连接用于产生电磁辐射，并且与第三接触垫电接触。
2.根据权利要求1所述的单片的光电子半导体本体，其中第一部分区段包含第一部分 层和由有源层分开的第二部分层，其中所述至少两个部分区段中的第二部分区段具有第一部分层和由有源层分开的第 二部分层，以及其中第三线路平面与第一部分区段的第一部分层以及第二部分区段的第二部分层接触。
3.根据权利要求2所述的单片的光电子半导体本体，其中所述部分区段的至少之一 具有穿通部，该穿通部穿过部分区段的有源层并且与部分区段的朝向第一主侧的部分层接 触。
4.根据权利要求1至3之一所述的单片的光电子半导体本体，其中第一线路平面、第二 线路平面和第三线路平面中的至少之一与第一线路平面、第二线路平面和第三线路平面中 的另一线路平面交叠。
5.根据权利要求1至4之一所述的单片的光电子半导体本体，其中第一接触垫、第二接 触垫和第三接触垫中的至少一个接触垫被设置在半导体层序列的背离第一主侧的侧上。
6.根据权利要求1至5之一所述的单片的光电子半导体本体，进一步包含-与所述至少两个部分区段电绝缘的外部区域，该外部区域与所述至少两个部分区段 中的至少之一相邻设置，并且在朝向第一主侧的侧上具有第一接触垫、第二接触垫和第三 接触垫中的至少一个接触垫。
7.根据权利要求1至6之一所述的单片的光电子半导体本体，其中第一线路平面、第二 线路平面和第三线路平面中的至少之一包含镜层，所述镜层将有源层中产生的电磁辐射朝 向第一主侧的方向反射。
8.根据权利要求1至7之一所述的单片的光电子半导体本体，其中，在层序列与第一线 路平面、第二线路平面和第三线路平面中的至少之一之间设置有镜层，用于将有源层中产 生的电磁辐射朝向第一主侧的方向反射。
9.根据权利要求8所述的单片的光电子半导体本体，其中所述镜层与第一部分区段和 /或至少一个第二部分区段的有源层电绝缘，并且与至少一个线路平面电绝缘。
10.根据权利要求8至9之一所述的单片的光电子半导体本体，其中镜层具有多个开 口，并且所述至少一个线路平面穿过所述开口。
11.根据权利要求7或10所述的单片的光电子半导体本体，其中镜层覆盖半导体层序 列的第二主侧的50%或更多。
12.一种用于制造单片的光电子半导体本体的方法，包括-在生长衬底上外延生长半导体层序列，其中所述半导体层序列具有适于产生电磁辐 射的有源层；_限定半导体层序列的第一部分区段和与其电绝缘的至少一个第二部分区段，所述第 一部分区段和至少一个第二部分区段被设计用于朝向第一主侧的方向发射电磁辐射；-在半导体层序列的背离第一主侧的侧上构建第一线路平面并且接触第一部分区段的 有源层；-在半导体层序列的背离第一主侧的侧上构建第二线路平面并且接触至少一个第二部 分区段的有源层；-在半导体层序列的背离第一主侧的侧上构建至少一个第三线路平面并且接触第一部 分区段的有源层和至少一个第二部分区段的有源层，其中第三线路平面将至少两个部分区 段的有源层在形成串联连接的情况下彼此耦合；-构建与第一线路平面相连的第一接触垫；-构建与第二线路平面相连的第二接触垫；-构建与至少一个第三线路平面相连的至少一个第三接触垫。
13.根据权利要求12所述的方法，其中外延生长包含-在半导体层序列的背离第一主侧的一侧上施加镜层。
14.根据权利要求12至13之一所述的方法，其中外延生长包含-提供生长衬底；-外延生长具有第一掺杂类型的第一部分层；-在第一部分层上外延生长具有第二掺杂类型的第二部分层，使得在第一和第二部分 层之间构建有源层。
15.根据权利要求12至14之一所述的方法，其中构建第一线路平面、第二线路平面和 至少一个第三线路平面中的至少之一包括施加绝缘材料和随后结构化所施加的绝缘材料。
全文摘要
一种单片的光电子半导体本体，包括半导体层序列，该半导体层序列被划分成至少两个彼此电绝缘的部分区段。在每个部分区域中，半导体层序列具有有源层。此外，设置有至少三个电接触垫。第一线路平面接触所述至少两个部分区段中的第一部分区段和第一接触垫。第二线路平面接触至少两个部分区段中的第二部分区段和第二接触垫。第三线路平面将两个部分区段彼此连接并且接触第三接触垫。此外，线路平面分别与第一主侧对置地设置，其中第一主侧设计用于发射所产生的电磁辐射。
文档编号H01L33/62GK101960601SQ200980107099
公开日2011年1月26日 申请日期2009年2月25日 优先权日2008年2月29日
发明者卡尔·恩格尔, 卢茨·赫佩尔, 帕特里克·罗德, 弗兰克·辛格, 马丁·斯特拉斯伯格 申请人:欧司朗光电半导体有限公司