半导体装置和电子设备的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体装置和包括该半导体装置的电子设备。
【背景技术】
[0002]半导体装置被广泛应用于电子设备中。在半导体装置中，需要使用导线将芯片与内引线之间进行电连接，从而需要对导线与芯片之间以及导线与内引线之间进行焊接以使得两者接合。对于导线与内引线之间的接合，一般可通过热压接合而形成。
[0003]图1是现有的半导体装置中对导线进行接合的示意图。如图1所示，使用劈刀3对导线I进行热压而使得导线I与内引线2 (电极端子)接合，导线I同时与芯片4接合。但是，该接合方式的接合强度较弱，因此在半导体装置的搬运时产生的震动以及进行树脂密封时产生的应力会导致导线与内引线之间发生剥落。
[0004]现有的方法中为了解决该问题，对于导线与内引线之间的接合，首先制作球状突起并在该球状突起上进行接合，即使用球上接合(Bond Stitch on Bump, BSOB)的方法。
[0005]图2是专利文献I (JP62-200736A)的半导体装置中对导线进行接合的示意图。如图2所示，该半导体装置包括电路基板1、绝缘基板2、电路布线3、芯片4、金属线5、金属球6和7、以及毛细管劈刀10，利用毛细管劈刀10在电路布线3以及芯片4上制作金属球6和7，再利用毛细管劈刀10将金属线5从金属球7上引到金属球6上实现连接。
[0006]应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本实用新型的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本实用新型的【背景技术】部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
【实用新型内容】
[0007]但是，发明人发现，在需要对多个内引线进行接合的情况下，需要多次使用球上接合(BSOB)的方法，因此增加了制作球状突起的次数，导致半导体装置的制造工序复杂且制造成本增加。
[0008]本实用新型实施例提供一种半导体装置和电子设备，通过对较长的内引线使用具有球状突起的接合部进行接合而对其他内引线仍使用通常的接合部进行接合，能够简化半导体装置的制造工序并降低制造成本，并确保内引线与导线之间的接合强度。
[0009]根据本实用新型实施例的第一方面，提供一种半导体装置，所述半导体装置包括:半导体元件、内引线、导线、利用树脂对所述内引线和所述导线进行密封的树脂密封体、用于对所述导线与所述半导体元件进行接合的第一接合部以及用于对所述导线与所述内引线进行接合的第二接合部，其中，所述内引线从所述树脂密封体的端部向半导体装置的内部延伸，且所述内引线的长度大于预先设定的阈值，所述第二接合部包括球状突起，所述导线通过所述第二接合部的所述球状突起与所述内引线接合。
[0010]根据本实用新型实施例的第二方面，其中，所述半导体装置还包括:第二内引线；所述第二内引线的长度小于或等于所述阈值。
[0011 ] 根据本实用新型实施例的第三方面，其中，所述导线以及所述球状突起由金或者金合金构成。
[0012]根据本实用新型实施例的第四方面，其中，所述导线与所述内引线在所述第二接合部中的接合位置偏离所述球状突起的中心。
[0013]根据本实用新型实施例的第五方面，其中，所述半导体元件是绝缘栅双极型晶体管。
[0014]根据本实用新型实施例的第六方面，其中，所述内引线由铜或铜合金构成，或者在铜或铜合金上镀银而构成。
[0015]根据本实用新型实施例的第七方面，其中，所述树脂是热固性环氧树脂。
[0016]根据本实用新型实施例的第八方面，提供一种电子设备，该电子设备包括如上述实施例的第一方面至第七方面中任一项所述的半导体装置。
[0017]本实用新型的有益效果在于:通过对较长的内引线使用具有球状突起的接合部进行接合而对其他内引线仍使用通常的接合部进行接合，能够简化半导体装置的制造工序并降低制造成本，并确保内引线与导线之间的接合强度。
[0018]参照后文的说明和附图，详细公开了本实用新型的特定实施方式，指明了本实用新型的原理可以被采用的方式。应该理解，本实用新型的实施方式在范围上并不因而受到限制。在所附权利要求的精神和条款的范围内，本实用新型的实施方式包括许多改变、修改和等同。
[0019]针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。
[0020]应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。
【附图说明】
[0021]所包括的附图用来提供对本实用新型实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本实用新型的实施方式，并与文字描述一起来阐释本实用新型的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中:
[0022]图1是现有的半导体装置中对导线进行接合的示意图；
[0023]图2是专利文献I的半导体装置中对导线进行接合的示意图；
[0024]图3是本实用新型实施例1的半导体装置的一结构示意图；
[0025]图4是本实用新型实施例1的第二接合部305的一结构示意图。
【具体实施方式】
[0026]参照附图，通过下面的说明书，本实用新型的前述以及其它特征将变得明显。在说明书和附图中，具体公开了本实用新型的特定实施方式，其表明了其中可以采用本实用新型的原则的部分实施方式，应了解的是，本实用新型不限于所描述的实施方式，相反，本实用新型包括落入所附权利要求的范围内的全部修改、变型以及等同物。
[0027]实施例1
[0028]本实用新型实施例1提供一种半导体装置。图3是本实用新型实施例1的半导体装置的一结构示意图，其中，图3中的Y方向表示该半导体装置的长边方向，箭头所指的方向为半导体装置的内部方向。
[0029]如图3所示，半导体装置300包括半导体元件301、具有内引线302-1?302-7的引线框架302、导线303、利用树脂对内引线302-1?302-7和导线303进行密封的树脂密封体(未图示)、用于对导线303与半导体元件301进行接合的第一接合部304以及用于对导线303与内引线302-3进行接合的第二接合部305，其中，
[0030]内引线302-3从树脂密封体的端部向半导体装置的内部延伸，且内引线302-3的长度大于预先设定的阈值，
[0031]第二接合部305包括球状突起，导线303通过第二接合部305的球状突起与内引线302-3接合。
[0032]在本实施例中，半导体元件301可以是现有的任一种半导体元件，例如半导体元件制造为芯片的形式，其是二极管或绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate BipolarTransistor，IGBT)，其可以由娃(Si)半导体构成。除此之外，半导体元件301也可以由与娃半导体相比，能在高温状态下工作，切换速度比较快，且具有低损耗的化合物半导体构成；例如，可以由碳化娃(SiC)半导体以及氮化镓(GaN)半导体等的化合物半导体构成。
[0033]在本实施例中，导线303与半导体元件301通过第一接合部304进行接合，其中，可使用现有的接合方法；