处理基片的装置和方法与流程

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处理基片的装置和方法与流程

本申请要求2011年12月7日提交的韩国专利申请No.10-2011-0130385的优先权,该申请的全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明构思的实施例涉及用于处理基片的装置和方法,更具体地,涉及用于使用超临界流体干燥基片的装置和方法。



背景技术:

半导体装置的制造包括从基片或晶片上去除污染物的清洗处理。清洗处理包括使用化学材料从基片上去除污染物的化学处理步骤,使用冲洗(rinse)溶液从基片上去除化学材料的冲洗步骤,和从基片上干燥冲洗溶液的干燥步骤。

在干燥步骤中,可将有机溶剂用于基片表面以替换冲洗溶液,接着可以对基片进行加热。然而,在半导体装置包括宽度较窄的电路图案的情况下,在干燥步骤中可能发生图案倾塌(pattern collapse)现象,其中电路图案受损或被破坏。



技术实现要素:

本发明构思的实施例提供了一种用于有效干燥基片的装置和方法。

根据本发明构思的一些实施例,一种基片干燥装置可以包括:具有内部空间的处理室;布置于所述处理室内用于支撑基片的基片支撑件;第一供应口,其配置为向位于所述基片以下的所述内部空间的一个区域提供超临界流体;第二供应口,其配置为向位于所述基片以上的所述内部空间的一个区域提供超临界流体;和排出口,其配置为将超临界流体从所述处理室排出到外部区域。

根据本发明构思的一些实施例,一种干燥基片的方法可以包括:将基片放置于处理室;向位于所述基片以下的所述处理室的较低内部空间中提供超临界流体以将所述处理室的内部压力增大超过大气压;以及随后向位于所述基片以上的所述处理室的较高内部空间中提供超临界流体以干燥所述基片。

根据本发明构思的一些实施例,一种基片干燥装置可以包括:具有内部空间的处理室;布置于所述处理室的内部空间中的基片支撑件,所述基片支撑件配置为接收和支撑基片;布置于所述处理室的内部空间中的在所述基片支撑件以下的挡板(blocking plate);第一供应口;第二供应口;和排出口。所述第一供应口可延伸穿透所述处理室的底壁,并且配置为向所述挡板的底面和位于所述基片以下和所述挡板的顶面以上的所述内部空间的一个区域提供超临界流体。所述第二供应口可延伸穿透所述处理室的顶壁,并且配置为向位于所述基片以上的所述内部空间的一个区域提供超临界流体。所述排出口可以延伸穿透所述处理室的底壁,并且配置为将超临界流体从所述处理室排出到外部区域。

附图说明

通过以下结合附图进行的简要说明将会更加清楚地理解这些示例实施例。在此所述的图1到图12代表非限定性的示例实施例。

图1是示出了根据本发明构思的一些实施例的基片处理装置的截面图;

图2是示出了在封闭状态下的图1的装置的处理室的截面图;

图3是示出了图1的装置的基片支撑件的平面图;

图4是示意性地示出了根据本发明构思的一些实施例的升压步骤的示图;

图5是示意性地示出了根据本发明构思的一些实施例的基片干燥步骤的示图;

图6是示意性地示出了根据本发明构思的一些实施例的排出步骤的示图;

图7是示意性地示出了根据本发明构思的另一些实施例的排出步骤的示图;

图8是示出了根据本发明构思的另一些实施例的挡板的平面图;

图9是示出了根据本发明构思的另一些实施例的基片干燥装置的截面图;

图10是示出了图9的装置的基片支撑件的平面图;

图11是示出了在打开状态下的图9的装置的处理室的截面图;和

图12是显示了不同的挡板结构与所导致的技术效果之间的关系的示图。

应注意的是,这些附图是为了示出特定示例实施例中采用的方法、结构和/或材料的一般特征,并对以下提供的书面说明进行补充。然而,这些附图没有按照比例,而且不能精确地反应出任意给定的实施例的精确结构或性能特性,也不应解释为限定或限制由这些示例实施例所涵盖的值或属性的范围。例如,为清楚起见会缩小或放大分子、层、区域和/或结构元件的相对厚度和位置。在不同的附图中使用相似或相同的参考编号是为了表示存在相似或相同的元件或特征。

具体实施方式

现在将参考附图对本发明构思的实施例进行更全面的说明,在附图中显示了示例实施例。然而,本发明构思的实施例可以以许多不同的形式进行实施,而不应被理解为限于在此阐述的实施例。相反,提供这些实施例是为了使得本公开是充分和完整的,并将向本领域普通技术人员全面传达本发明构思的范围。在附图中,为了清起见会放大层和区域的厚度。在附图中,相同的参考编号表示相同的元件,因此会省略对它们的说明。

要理解的是,当一个元件被称作“连接到”或“耦接到”另一个元件时,能够将所述一个元件直接连接或耦接到所述另一个元件上,或者也可以存在中间元件。相反,当一个元件被称作“直接连接到”、“直接耦接到”另一个元件时,不存在中间元件。相同的标号始终表示相同的元件。在此所用的术语“和/或”包括一个或多个相关列出项的任意及全部组合。用于描述各元件或各层之间的关系的其它词语(比如,“在…之间”与“直接在…之间”,“邻近”与“直接邻近”,“在…上”与“直接在…上”)应以相同的方式进行解释。

要理解的是,尽管这里可能使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分,但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应由这些术语限制。这些术语只是用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分进行区分。因此,下面所讨论的第一元件、组件、区域、层或部分也能够被称为第二元件、组件、区域、层或部分,而不背离示例实施例的教导。

为了方便说明,在此会使用诸如“在…下”、“在…以下”、“较低的”、“在…以上”、“较高的”等空间相对术语以说明附图中所示出的一个元件或特征相对于另一个(或一些)元件或特征的关系。要理解的是,空间相对术语是为了涵盖装置在使用或操作中除附图中所示的指向之外的不同指向。例如,如果将附图中的装置翻转,则描述为“在其它元件或特征以下”或“在其它元件或特征下”的元件的指向将是“在其它元件或特征以上”。因此,示例性术语“在…以下”能够涵盖“在…以上”和“在…以下”两种指向。还可令装置处于其它指向(旋转90度或者处于其它指向),并且相应地解释在此所使用的空间相对关系的描述。

这里所使用的用语仅以说明具体的实施例为目的,而并非意在限制本发明构思。除非上下文明确另有指出,否则在此使用的单数形式“一”、“一个”和“该”也包括复数形式。还要理解的是,如果在此使用了术语“包括”、“包括…的”、“包含”和/或“包含…的”来指定存在所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件,那么并未排除存在或添加一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。

在此参考示例实施例(和中间结构)的示意性图示说明对本发明构思的实施例进行说明。因此,作为例如制造技术和/或公差的结果,可以预期与图示说明的形状有所不同。因此,本发明构思的实施例不应解释为限于在此所示出的这些区域的特定形状,而是包括由例如制造所产生的在形状上的偏差。例如,示为矩形的注入区可能在其边缘具有圆角或曲线特征和/或在其边缘处的注入浓度梯度,而不是从注入区域到非注入区域的二元变化。类似地,通过注入形成的掩埋区可以导致在掩埋区和借以发生注入的表面之间的区域中的一些注入。因此,附图中所示的这些区域实际上是示意性的,它们的形状并非意在必要地示出一个装置的某一区域的实际形状,也并非意在限制本方明构思的范围。

除非另有限定,否则在此使用的所有术语(包括技术术语和科技术语)的含义与本发明构思所属领域的技术人员常通常理解相同。还要理解的是,诸如已在常用词典中定义的术语应解释为与在相关领域的情景中一致的含义,不应以理想化或者过于正式的意思来理解,除非在此明确地如此定义。

图1是示出了根据本发明构思的一些实施例的基片处理装置的截面图,图2是示出了在封闭状态下的图1的装置的处理室的截面图。

参考图1和图2,可以将基片处理装置10配置为(比如在冲洗处理已经结束时)干燥晶片或基片W。在一些实施例中,可以将基片处理装置10配置为使用超临界流体来干燥晶片W。超临界流体可以用于溶解和干燥冲洗处理后会剩余在晶片W的表面上的冲洗溶液(比如,有机溶剂)的残渣。在一些实施例中,超临界流体可以是处于超临界状态下的二氧化碳(CO2)。二氧化碳在30℃或更高温度或者7.4MPa或更大压力下到达其超临界状态。为了简单起见,下面的许多说明将参考其中超临界流体是处于超临界状态的二氧化碳的实施例。

基片处理装置10可以包括处理室100、基片支撑件200、第一供应口310、第二供应口320、排出口330和挡板340。

处理室100可以限定或者提供在其中对晶片W进行干燥处理的空间。例如,可以在处理室100内提供内部空间101。处理室100可配置为能够承受高于使用中的超临界流体的临界温度和临界压力的温度和压力。处理室100可以包括上部室110、下部室120和室驱动部件130。

可以将上部室110配置为具有底部敞开(即,敞开的底部)的空间。在一些实施中,上部室110的顶壁可以作为处理室100的顶壁102。上部室110的侧壁可以提供为处理室100的侧壁103的一部分。

下部室120可以置于上部室110以下。在一些实施例中,可以将下部室120配置为具有顶部敞开(即,敞开的顶部)的空间。下部室120的敞开的顶部可以面向上部室110的敞开的底部。下部室120的底壁可以作为处理室100的底壁104。下部室120的侧壁可以提供为处理室100的侧壁103的一部分。

可以将室驱动部件130配置为垂直移动上部室110和下部室120中的至少一个。可以通过上部室110和/或下部室120的垂直移动来打开或闭合处理室100的内部空间101。在一些实施例中,可以将室驱动部件130配置为在将晶片W装载到处理室100或从处理室100卸载晶片W时打开处理室100的内部空间101,在将要对晶片W进行干燥步骤时闭合处理室100的内部空间101。在一些实施例中,可以将室驱动部件130配置为沿垂直方向(比如,向上和/或向下)移动下部室120。

室驱动部件130可包括导杆131、升降杆132和驱动器133。可以将导杆131配置为将上部室110的下部与下部室120的上部连接,此外,可以以这样的方式引导下部室120的移动,即,下部室120的上部与上部室110的下部相接以密封处理室120的内部空间101。可以在下部室120的下部以下提供升降杆132,并将升降杆132配置为使用来自驱动器133的驱动力向上或向下移动下部室120。可以将驱动器133配置为即使当处理室100的内部空间101处于由于超临界流体所导致的高压状态下时也使得处理室100密封。在一些实施例中,驱动器133可以包括液压设备。

可以以掩埋方式在处理室100的顶壁120、侧壁103和底壁104中的至少一壁上提供加热器(未示出)。可以通过加热器对处理室100进行加热,以使得能处理室100能够保持具有比处理室100中的超临界流体的临界温度更高的温度。

处理室100的底壁104可形成为具有凹部106。凹部106可以形成为具有预定的深度。由于存在凹部106,所以处理室100可形成为具有不平坦的内部底面105。

处理室100可以形成为具有倾斜的内部侧面108(下文中称为“倾斜面”)。倾斜面108可以连接处理室100的内部底面105与处理室100的侧面107(例如,内部侧面)。由于存在倾斜面108,所以处理室100的内部空间101的宽度可以自内部底面105到侧面107增加。在不同的实施例中,倾斜面108的角度范围可以从约10°到约45°。

可以在处理室100内提供基片支撑件200以支撑晶片W。可以将基片支撑件200配置为支撑晶片W的底部边缘部分。例如,可以通过基片支撑件200暴露晶片W的底面的中心部分。在一些实施例中,基片支撑件200可以与处理室100的顶壁102垂直地隔开。

图3是示出了图1的装置的基片支撑件的平面图。

参考图1到图3,基片支撑件200可以包括至少一个垂直杆或垂直件210,以及至少一个水平杆或水平件220。垂直杆210可以与处理室100的顶壁102垂直并与处理室100的顶壁102连接。在一些实施例中,基片支撑件200可以包括一对垂直杆210,可以将这一对垂直杆210水平地彼此隔开。

在一些实施例中,基片支撑件200可以包括一对水平杆220,每一个水平杆220可以与对应的一个垂直杆210的底端部分连接。可以以薄板或平台形式提供一个(或多个)水平杆220,并且与一个(或多个)垂直杆210垂直。可以在水平杆220的顶面上提供一个或多个支撑凸起物230。一个(或多个)支撑凸起物230可以从水平杆220的顶面上凸起。在每个水平杆220上可以有多个支撑凸起物230。可以将晶片W放置在支撑凸起物230上,并在晶片W的边缘部分处由支撑凸起物230支撑晶片W。

可以通过第一供应口310和第二供应口320将超临界流体提供到处理室100的内部空间101中。可以在处理室100的底壁104的中心附近形成第一供应口310。第一供应口310的排放孔311可以形成为穿透设有凹部106的处理室100的底壁104的一部分。在一些实施例中,可以通过第一供应口310将超临界流体提供到位于晶片W以下的内部空间101的一部分中。

可以在处理室100的顶壁102的中心附近提供第二供应口320。可以通过第二供应口320将超临界流体提供到位于晶片W以上或高于晶片W的内部空间101的一部分中。可以将通过第二供应口320提供的超临界流体提供到晶片W的顶面上。

排出口330可以配置为将处理室100中的剩余流体排出到外部空间。排出口330可以设置为穿过处理室100的底壁104。可以与第一供应口310相邻地形成排出口330。在一些实施例中,可以将包含有机溶剂的超临界流体从排出口330排出或放气。排出口330可以与再生装置(未示出)连接,再生装置可以配置为从超临界流体中分离有机溶剂,但是本发明构思的实施例不限于此。

可以在基片支撑件200以下提供挡板340。在一些实施例中,可以以平板形式提供挡板340。挡板340可以包括顶面341、底面342和侧面343。顶面341可以与底面342平行。顶面341可以具有比底面342的面积更大的面积。在处理室100处于闭合状态的情况下,挡板340的顶面341可以布置为与晶片W的底面隔开预定的间隔A。例如,挡板340的顶面341与晶片W的底面之间的间隔A的范围可以从约0.2cm到约1.0cm。底面342可以布置为与处理室100的内部底面105平行面对。可以以预定的间隔B将底面342与处理室100的内部底面105隔开。例如,底面342与内部底面105之间的间隔B的范围可以从约0.1cm到约2cm。可以提供侧面343以连接顶面341和底面342。在一些实施例中,可以以这样的方式使侧面343倾斜,即,挡板340的截面面积可以从底面342向上到顶面341增加。侧面343可以与倾斜面108平行。侧面343可以以预定的间隔C将侧面343与倾斜面108隔开。例如,侧面343与倾斜面108之间的间隔C的范围可以从约0.1cm到约20cm。

挡板340的底面342和处理室100的内部底面105之间的间隔可以与挡板340的侧面343与处理室100的倾斜面108之间的间隔连接,从而提供了这样的间隔,通过第一供应口310提供的超临界流体可以流过该间隔。可以将超临界流体提供在挡板340的底面342上,接着通过挡板340和处理室100之间的间隔将超临界流体移动和扩散到处理室100的内部空间101中。

可以在挡板340以下提供至少一个支撑杆或支撑件350以支撑挡板340。例如,可以提供彼此隔开的多个支撑杆350。可以将每个支撑杆350的顶端部分与挡板340连接,并可以将底端部分放置在处理室100的内部底面105上。在一些实施例中,可以将支撑杆350的底端部分放在处理室100的内部底面105的凹部106。

在下文中,将参考附图对利用前述基片处理装置干燥基片的方法进行说明。根据本发明构思的一些实施例,干燥基片的方法可以包括增压或升压步骤、干燥步骤和排出步骤。在增压步骤中,可以以这样的方式将超临界流体提供到处理室100中,即,处理室100能具有高于大气压的内部压力。在干燥步骤中,可以在已增加的内部压力的条件下,使用提供到晶片W的顶面上的超临界流体对晶片W进行干燥。在干燥步骤之后,可以执行排出步骤以排出在处理室100中剩余的流体,从而减少处理室100的内部压力。

图4是示出了根据本发明构思的一些实施例的升压步骤的示图。参考图4,可以通过第一供应口310将超临界流体L提供到处理室100中。可以将超临界流体L提供到挡板340的底面342上,并且超临界流体L通过挡板340与处理室100的底壁104之间的间隔流动。挡板340可以改变通过第一供应口310注入的超临界流体L的流动。当将超临界流体L直接注入到晶片W的底面上时,超临界流体L所施加的压力可能会使晶片W变形或者使其偏离原来的形状或位置。然而,挡板340的存在可以防止将超临界流体L直接提供到晶片W上,因此,能够防止前述问题。

超临界流体L可以通过挡板340与处理室100的底壁104之间的间隔扩散到处理室100中。超临界流体L的提供可以增加处理室100的内部压力。在一些实施例中,可以至少在处理室100的内部压力达到超临界流体L的临界压力之前提供超临界流体L。如果在处理室100的内部压力低于所述临界压力的条件下从第二供应口320提供超临界流体,那么超临界流体由于低压而液化并随意地落到晶片W的顶面上。这会导致在晶片W上提供的图案的腐化(decay)。

可以在处理室100的内部压力高于临界压力的条件下执行干燥步骤。

图5是示意性地示出了根据本发明构思的一些实施例的基片干燥步骤的示图。参考图5,可以通过第二供应口320将超临界流体L提供到处理室100中。通过第二供应口320提供的超临界流体L可以与通过第一供应口310提供的超临界流体相同。在一些实施例中,通过第二供应口320提供的超临界流体L可以直接提供到晶片W的顶面上。超临界流体可以溶解在晶片W的顶面上可能剩余的有机溶剂,使得晶片W能够被干燥。可以在预定的持续时间内通过第二供应口320提供超临界流体L然后中断。

图6是示意性地示出了根据本发明构思的一些实施例的排出步骤的示图。参考图6,排出口330可以配置为将在处理室100中剩余的流体L'排出到处理室100的外部。剩余流体L'的排出可以降低处理室100的内部压力。可以在处理室100的内部压力达到大气压之前执行剩余流体L'的排出。在处理室100的内部压力保持在大气压的情况下,可以降低下部室120以打开处理室100的内部空间。可以由例如传送机器人(未示出)卸载已经结束干燥处理的晶片W。

图7是示意性地示出了根据本发明构思的另一些实施例的排出步骤的示图。参考图7,第一排出洞、孔或通道345可以提供为穿透挡板340。第一排出孔345可以包括从挡板340的顶面延伸到其底面的通孔。可以在挡板340的中心区域附近形成第一排出孔345。可以在穿过排出口330的垂直轴或垂直线上提供第一排出孔345。在干燥步骤中,大部分的流体L'会停留在挡板340的顶面上。在图6的基片处理装置中,剩余在挡板340上的流体L'可以经由挡板340与处理室100的底壁104之间的间隔流入到排出口330中。在这种情况下,会延长用于排出流体L'的路径,而且由于挡板340与处理室100之间的间隔可能较窄,因此流体L'不可以顺畅地流动。然而,在图7的基片干燥装置中,剩余在挡板340上的流体L'可以经由第一排出孔345直接地流入到排出口330中。也就是说,能够缩短用于排出流体L'的路径。而且,由于可以沿相同的垂直轴或垂直线(即,对齐的)形成流体L'的排出流动路径345和330,因此流体L'能够更容易地流入到排出口330中。

图8是示出了根据本发明构思的另一些实施例的挡板的平面图。参考图8,挡板340可以形成为具有第一排出洞、孔或通道345'和至少一个第二排出洞、孔或通道346。与图7所示的第一排出孔345相似,可以以这样的形式提供第一排出孔345',即,垂直穿透挡板340并且布置于穿过图7的排出口330的相同的垂直轴或垂直线上。可以以垂直穿透挡板340的通孔的形式提供第二排出孔346。在一些实施例中,挡板340可以包括围绕第一排出孔345'布置的多个第二排出孔346。剩余在挡板340上或以上的流体可以通过第一排出孔345'和第二排出孔346容易地流到位于挡板340以下的区域。

图9是示出了根据本发明构思的另一些实施例的基片干燥装置的截面图,图10是图9所示基片支撑件的平面图。

参考图9和图10,基片支撑件200可以包括第一垂直杆或垂直件210和第二垂直杆或垂直件220,以及第一水平杆或水平件230和第二水平杆或水平件240。可以将第一垂直杆210的顶端部分与处理室100的顶壁102连接,可以以预定的距离将第一垂直杆210的底端部分与处理室100的顶壁102隔开。在一些实施例中,基片支撑件200可以包括一对彼此面对布置的第一垂直杆210。在一些实施例中,如所示,可以延长和/或第一垂直杆或垂直件210,或者第一垂直杆或垂直件210可以是弓形的。

可以将每个第一水平杆230与各个第一垂直杆210的底端部分连接。可以以弧形板或平台的形式提供每个第一水平杆230。可以在第一水平杆230的顶面上提供一个或多个支撑突起物231。每个支撑突起物231可以从第一水平杆230的顶面向上突起。可以将晶片W装载到支撑突起物231上。

可以将每个第二垂直杆220的底端部分与处理室100的底壁104连接,并且可以以预定的距离将每个第二垂直杆220的顶端部分与处理室100的顶壁102隔开。

可以将每个第二水平杆240与各个第二垂直杆220的顶部部分连接。可以以弧形板或平台的形式提供每个第二水平杆240。当处理室100闭合时,可以将第二水平杆240放置在与第一水平杆230相同的水平处。可以沿第一水平杆230布置第二水平杆240以形成环形结构。可在每个第二水平杆240的顶面上提供引导部241。引导部241可以从第二水平杆240的顶面向上突起,并置于由(多个)支撑突起物231所支撑的晶片W外部。可以以弧形和加长的平板形式提供引导部241,并且引导部241的长度可以与第二水平杆240的长度相对应。可以以具有高挥发性和低粘度的流体形式提供有机溶剂,因此,有机溶剂可以从晶片W流下。在通过使用有机溶剂从晶片W流下的方式来干燥晶片W的表面的情况下,可能污染晶片W或者可能存在在晶片W的干燥量方面的空间变化。可以将(多个)垂直杆210和(多个)引导部241提供为围绕晶片W的底面和侧面,因此,可抑制或甚至阻止有机溶剂从晶片W流下。此外,即使在使用超临界流体执行干燥步骤之前,一部分有机溶剂可能残留在晶片W上,因此,可防止有机溶剂自然干燥。

如图11所示,在降低下部室120以打开处理室100的内部空间的情况下,(多个)第二垂直杆220和(多个)第二水平杆240可以随着下部室120降低。例如可以通过将晶片W放置于支撑突起物231上将晶片W装载到处理室100中。在提升下部室120以闭合处理室100的内部空间的情况下,(多个)第二垂直杆220和(多个)第二水平杆240可以随着下部室120提升。于是第二水平杆240的引导部241可以位于晶片W的外部。

图12是显示了不同的挡板结构与所导致的技术效果之间的关系的示图。图12的纵轴代表在晶片的表面上产生的粒子数,横轴表示三个不同的实验。

在实验1中,将挡板340配置为不具有图7的第一排出孔345。挡板340的顶面341与晶片W的底面之间的间隔是1.5mm,挡板340的底面342与处理室100的内部底面105之间的间隔是3mm,挡板340的侧面343与处理室100的倾斜面108之间的间隔是1.5mm。

在实验2中,将挡板340配置为具有图7的第一排出孔345。挡板340的顶面341与晶片W的底面之间的间隔、挡板340的底面342与处理室100的内部底面105之间的间隔和挡板340的侧面343与处理室100的倾斜面108之间的间隔与实验1中的各间隔相等。

在实验3中,将挡板340配置为不具有图7的第一排出孔345。挡板340的顶面341与晶片W的底面之间的间隔是4mm,挡板340的底面342与处理室100的内部底面105之间的间隔是3mm,挡板340的侧面343与处理室100的倾斜面108之间的间隔是3mm。

试验2和实验1的结果的对比表明挡板340的第一排出孔345能有助于减少在干燥处理中所产生的粒子数。从这个意义上讲,能理解第一排出孔345有利于流体的排出流动。

试验3和实验1的结果的对比表明随着(顶面341与晶片W的底面之间的、底面342与内部底面105之间的、侧面343与倾斜面108之间的)间隔的增加,晶片上所产生的粒子数减少。也就是说,增加的间隔有利于流体的排出流动。然而,如果间隔增加到超出合理的水平,则可能伴随有处理室100的内部空间内的增加。这意味着将处理室100的内部压力增加到临界压力的处理时间可能增加。也就是说,可以根据影响排出流动以及用于增加处理室100的内部压力所需的处理时间来设计间隔。例如,挡板340的顶面341与晶片W的底面之间的间隔的范围可以是0.2cm到1.Ocm,挡板340的底面342与处理室100的内部底面105之间的间隔的范围可以是0.1cm到4cm,挡板340的侧面343与处理室100的倾斜面108之间的间隔的范围可以是0.1cm到20cm。

前述示例实施例中的有机溶剂可以包括异丙醇、乙二醇、1-丙醇、四氢呋喃(tetrahydrofuran)、4-羟基-4-甲基-2-戊酮、1-丁醇、2-丁醇、甲醇、乙醇、正丙醇、二甲基乙醚等。

根据本发明构思的一些实施例,超临界流体可以用于溶解可能剩余在基片上的冲洗溶液。作为使用超临界流体的结果,可以有效地干燥基片。

依靠所提供的流体,基片处理装置和方法不仅能用于干燥处理,还能用于其它的基片处理过程。

虽然已对本发明构思的示例实施例详细地进行了展示和说明,但是本领域技术人员要理解的是,在不背离所附权利要求的精神和范围的前提下,可以在形式和细节方面进行改变。

再多了解一些
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